فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص

اختصاصی از فایلکو تحقیق درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 20

 

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

همانطور که در گذشته خواندید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

 

ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند. اختلاف روش تولید، تفاوت هاى زیادى بین سنسورهاى CCD و CMOS ایجاد کرده است:


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص

مقاله درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

اختصاصی از فایلکو مقاله درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 15

 

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

همانطور که در گذشته خواندید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

 

 

 

 

ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند. اختلاف روش تولید، تفاوت هاى زیادى بین سنسورهاى CCD و CMOS ایجاد کرده است:

سنسورهاى CCD تصاویرى با کیفیت بالا و بدون نویز ایجاد مى کند. در حالى که تصاویر حاصل از سنسورهاى CMOS عموماً نسبت به دریافت نویز مستعد ترند.

- به دلیل حضور چندین ترانزیستور در هر پیکسل از سنسورهاى CMOS این سنسورها از حساسیت کمترى برخوردارند. بسیارى از فوتون هایى که به سطح سنسور مى رسند، به جاى برخورد با فوتودیودها به ترانزیستورها برخورد مى کنند.

- سنسورهاى CMOS انرژى بسیارکمى مصرف مى کنند. در حالیکه مصرف انرژى (به دلیل پردازش پیچیده اطلاعات) در سنسورهاى CCD حدود ۱۰۰ برابر بیشتر از سنسورهاى CMOS است.- سنسورهاى CMOS توسط کلیه کارخانه ها و خطوط تولید تراشه هاى سیلیکونى قابل تولید هستند. به همین دلیل نسبت به سنسورهاى CCD بسیار ارزان ترند.

- از آنجا که مدت زیادى از عمر سنسورهاى CCD مى گذرد و این سنسورها به میزان بسیار زیادى در تولید دوربین هاى دیجیتال استفاده شده اند، از نظر دانش فنى تولید، بسیار کامل تر از سنسورهاى CMOS هستند.

براساس این تفاوت ها واضح است که سنسورهاى CCD بیشتر در دوربین هایى استفاده مى شوند که باید از کیفیت و حساسیت بالاترى


دانلود با لینک مستقیم


مقاله درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

تحقیق در مورد نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص

اختصاصی از فایلکو تحقیق در مورد نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 20

 

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

همانطور که در گذشته خواندید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

 

 

 

 

ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند. اختلاف روش تولید، تفاوت هاى زیادى بین سنسورهاى CCD و CMOS ایجاد کرده است:


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص

کتاب Nanometer CMOS RFICs for Mobile TV Applications

اختصاصی از فایلکو کتاب Nanometer CMOS RFICs for Mobile TV Applications دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

کتاب Nanometer CMOS RFICs for Mobile TV Applications


کتاب Nanometer CMOS RFICs for Mobile TV Applications

Nanometer CMOS RFICs for Mobile TV Applications

By Ahmed A. Youssef, James Haslett (auth.)


 
ترجمه عنوان:

نانومتری CMOS RFICs برای برنامه های کاربردی موبایل تلویزیون

موضوع کتاب:

Mathematics, Applied Mathematics

سال:2010
ناشر:Springer Netherlands
ویرایش:1
فرمت: PDF
صفحه:200
زبان:انگلیسی
شابک/ISBN:9789048186037, 904818603X
  • معرفی کتاب
The RF front-end is the most fundamental building block of any wireless system. Nanometer CMOS RFICs for Mobile TV Applications brings together what IC design engineers need to know for the development of low-cost, wide-dynamic range RF front-ends for today’s fastest growing communication markets. Drawing on their experience from both industry and academia, the authors use the emerging DVB-H mobile TV standard to provide readers with the step-by-step design progression of the described nanometer CMOS RFICs.

Nanometer CMOS RFICs for Mobile TV Applications focuses on how to break the trade-off between power consumption and performance (linearity and noise figure) by optimizing the mobile TV front-end dynamic range in three hierarchical levels: the intrinsic MOSFET level, the circuit level, and the architectural level. It begins by discussing the fundamental concepts of MOSFET dynamic range, including nonlinearity and noise. It then moves to the circuit level introducing the challenges associated with designing wide-dynamic range, variable-gain, broadband low-noise amplifiers (LNAs). The book gives a detailed analysis of a new noise-canceling technique that helps CMOS LNAs achieve a sub - 2 dB wideband noise figure. Lastly, the book deals with the front-end dynamic range optimization process from the systems perspective by introducing the active and passive automatic gain control (AGC) mechanism.

By describing in detail the physical realization of several 65 nm CMOS test chips, this book uncovers the practical challenges inherent in using nanometer CMOS technologies for RF circuit design and provides the solutions needed to overcome those challenges.
  • فهرست کتاب
Front Matter....Pages i-xv
Introduction and Overview....Pages 1-14
Wideband CMOS LNA Design Techniques....Pages 15-57
Nanometer CMOS LNAs for Mobile TV Receivers....Pages 59-93
RF Attenuator Linearization Circuits....Pages 95-130
Wide Dynamic Range Mobile TV Front-End Architecture....Pages 131-138
Summary and Conclusions....Pages 139-144
Back Matter....Pages 145-158

دانلود با لینک مستقیم


کتاب Nanometer CMOS RFICs for Mobile TV Applications

pdf.بررسی خازن های مجتمع در تکنولوژی CMOS دیجیتال استاندارد

اختصاصی از فایلکو pdf.بررسی خازن های مجتمع در تکنولوژی CMOS دیجیتال استاندارد دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

pdf.بررسی خازن های مجتمع در تکنولوژی CMOS دیجیتال استاندارد


pdf.بررسی خازن های مجتمع در تکنولوژی CMOS دیجیتال استاندارد

این فایل در قالب pdf می باشد.

تعداد صفحات= 101

 

فهرست مطالب

 

عنوان    صفحه

 

فصل اول. 1

1-1-انواع خازنهای مجتمع. 2

1-2-مقدمه. 2

1-3-خازنهای فرکتال. 3

1-4-خازن شار جانبی. 4

1-5-فرکتالها 6

1-6-ساختار خازن فرکتال. 9

1-7-ساختارهای VPP. 13

1-8-اثر چگالی بر خصوصیات دیگر خازن. 13

1-9-محدودیتهای ظرفیت خازن. 14

1-10-ساختارهای خازنی با میدان کاملا جانبی. 17

فصل دوم 20

2-1-خازنهای ماس(MOSCAP) 21

2-2-ساختار خازن گیت در تکنولوژی CMOS. 21

2-3-ناحیه انباشتگی. 24

2-4-ناحیه وارونگی شدید 25

2-5-تکنیکهای جبرانسازی.. 28

2-6-جبرانسازی سری.. 28

2-7-جبرانسازی موازی.. 32

2-8-جبرانساز ی بالانس شده 32

2-9-خازنهای ماسفت در ناحیه تهی. 33

2-10-خازن های MOSCAP نوع تهی با جبرانسازی سری (SCDM-MOSCAP) 36

2-11-خازن های MOSCAP نوع تهی با جبرانسازی موازی (PCDM-MOSCAP) 40

2-12-کارهای انجام شده 46

2-13-مدولاتور سیگما-دلتا با منبع تغذیه 1.8 ولت.. 46

2-14-مدولاتور آپ مپ سوییچ شونده با منبع تغذیه 0.7 ولت.. 47

فصل سوم 49

3-1-چکیده 50

3-2-مقدمه. 50

3-2-مشخصه های فنی ظرفیتهای MaS. 51

3-3-مشخصه C-V. 51

3-4-ظرفیت های تقویت شده MaS. 51

3-5-بلوکهای مدار آنالوگ همرا با حالت فرسایش تقویت شده ی ظرفیتهای MOS. 53

3-6-نمونه ونگهداری.. 54

3-7-تقویت بسامد امپلی فایرهای کاربردی.. 55

3-8-فیلتر پایین گذر خازن کلید زنی. 56

3-9-مجتمع سازیها 57

فصل چهارم 59

4-1-چکیده 60

4-2-مقدمه. 60

4-3-توصیف ریاضی فرایند 62

4-4-سنجش قابلیت.. 67

4-5-بررسی موردی.. 68

4-6-حدود ظرفیت و مشخصه های تطبیق خازن های مجتمع. 71

4-7-تاثیر چگالی بر دیگر مشخصه های خازن. 74

4-8-حدود ظرفیت.. 76

4-9-ساختارهای خازنی میدانی عرضی. 79

4-10-چند ساختار. 85

نتیجه گیری.. 88

منابع و مآخذ 89


دانلود با لینک مستقیم


pdf.بررسی خازن های مجتمع در تکنولوژی CMOS دیجیتال استاندارد