راهنمای حل المسائل کامل کتاب اندازه گیری و آشکارسازی تشعشع نوشته نول
راه حل کامل تمام مساله های کتاب آشکارسازی نول در 20 فصل
با فرمت پی دی اف و زبان اصلی (141 صفحه)
فرمت PDF
تعداد صفحات 100
چکیده:
هدف از این پروژه، آشکارسازی سیگنال های تون DTMF برای 64 مشترک به طور همزمان و با استفاده از آی سی XC56309PV100، ساخت شرکت MOTOROLA می باشد.
در مجموع سیگنالهای تون DTMF در روی صفحه کلید تلفن از ترکیب ماتریسی دو گروه فرکانسی تشکیل شده اند و روشهای گوناگونی برای آشکارسازی تونهای DTMF وجود دارد، که از آن جمله می توان به استفاده از الگوریتم GOERTZEL که حالت خاصی از DFT است، اشاره کرد.
در این آشکار سازی از دو بخش مجزای تخمین اطلاعات طیفی و تصمیم گیری اطلاعات سیگنال استفاده شده است. تخمین اطلاعات طیفی مربوط به الگوریتم GOERTZEL میشود و بخش تصمیم گیری از 4 معیار زیر استفاده می کند:
– تشخیص انرژی سیگنال تون DTMF
– بررسی سیگنال تون با استفاده از دو سطح آستانه
– بررسی ماکزیمم متناظر
– بررسی ماکزیمم هارمونیک دوم متناظر
که در ادامه تشریح پروژه این موارد بازگو می شوند.
از سوی دیگر DSP مورد نظر که از خانواده DSP56300 است دارای هسته اصلی FIXED POINT بوده وآدرس دهی آن 24 بیتی وقابل برنامه ریزی نیز می باشد.
اجزای کلی این IC از پورتهای سریال، پورتهای موازی، تایمرها، حافظه های ROM و RAM و پورت های GPIO و HOST INTERFACE و… تشکیل شده است. همچنین این IC دارای 60 کیلوبایت حافظه برنامه قابل DOWN LOAD شدن و فضای 3*14 KBYTE RAM و همچنین دارای 2 لینک ST-BUS می باشد که میزان نرخ آن قابل تعریف است.
در این پروژه برای آشکار سازی تونها از بخشهای HOST INTERFACE و ESSI و مدهای کاری مناسب برای اجرای برنامه مورد نظر استفاده شده است ، زمانیکه شماره گیری به صورت تون با مرکز صورت می گیرد برای آشکار سازی این شماره گیری، ابتدا تون ها از طریق لینک صوتی مشترکین وارد برد MAIN SWITCH شده و سپس برای DETECT شدن به برد DSP منتقل می شوند که در ادامه به آنها می پردازیم.
در پایان، مراحل بارگذاری برنامه نوشته شده با اسمبلی را به شرح زیر مشاهده می نمایید:
SOFTWARES:
ASM56300 –B DTMF.ASM
DSPLNK -B DTMF.CLN
CLDLOD DTMF.CLD > DTMF.LOD
DSP DTMF.LOD DTMF.BIN
مقدمه:
سیگنالینگ DTMF بیش از 30 سال است که برای جایگزینی شماره گیری پالس راه اندازی شده است و امروزه می توان DTMF را به عنوان ابزاری معروف در آدرس دهی، در صنعت مخابرات معرفی کرد.
به طور کلی هیچ استاندارد واحدی که بتواند همه موارد مربوط به آشکارسازی ارقام DTMF را پاسخگو باشد، وجود ندارد. چندین سند ITU (Q23,Q24، توصیه نامه های TIA/EIA-46db برای این عملکرد با چندین منبع دیگر وجود دارد که در کنار یکدیگر می توانند به یک نتیجه مطلوب در مورد آشکارسازی DTMF منجر شوند.
از جمله کاربرد های آشکار سازی DTMF که می توان به آنها اشاره کرد عبارتند از:
VOX،PBX،IVR،CO و ارسال پیام صوتی وخیلی امکانات گوناگون دیگر که می توان با آشکارسازی DTMF از آنها بهره مند شد.
با توجه به اینکه پروژه مذکور برای آشکارسازی 64 مشترک به طور همزمان می باشد و برای اینکه اجرای سریع و دقیق آن مورد نظر است، نیاز به DSP ضروری می باشد تا ما را هم در هزینه، سرعت و دقت و مصرف کم توان یاری رساند.
از این رو، از پردازشگر XC56309PV100، ساخت شرکت MOTOROLA که IC ای با آدرس دهی 24 بیتی و قابلیت 100MIPS و دارای 2 لینک ST-BUS می باشد، در جهت اجرای این پروژه بر آمدیم.
در ابتدای این گزارش به تشریح سیگنال های DTMF و روشهای آشکارسازی این نوع سیگنال ها می پردازیم، سپس ساختار داخلی DSP مورد استفاده را تشریح کرده و در آخر به اجرای پروژه و برنامه نوشته شده برای اجرای آن و نتایج مذکور اشاره خواهیم کرد.
تعداد صفحه : 136
چکیده………….…………………...……………………..………….… 1
مقدمه..……………………………..……………………….……….… 3
4………………………………………..………. DTMF فصل اول:تئورى
5……..……………………...……..…...…....………… DTMF 1)مبانی -1
2)کاربردها............................................................................................... 5 -1
6..…..…..………………………...……………… DTMF 3)آشکارسازی -1
7...………,…….....….…………………………… DTMF 4)پیاده سازی -1
1)بخش فیلترینگ.……..…………………………………..………… ٩ -4 -1
1)تکنیک استفاده از دو سطح آستانه…………………..………,..….....… 12 -1 -4-1
2-1 )تکنیک آشکار سازی هارمونیک دوم.………………………...….…… 14 -4 -1
14……..…….…………… Goertzel ساختار سلول – Goertzel 2) الگوریتم -4 -1
3)تخمین اطلاعات طیف.…..…………………………………..……… 16 -4 -1
4)تصمیم گیری……….……………………………………...……… 18 -4 -1
20……...…...…...………………………... DSP فصل دوم: ساختار 56300
2)مقدمه….………....……………………………………...……….... 21 -1
22 …...…..…………..……………...……………DSP 2)دیدکلی از هسته -2
23…..……..……..…………...(Data ALU) 1)بخش محاسبات منطقی داده -2 -2
24….…..………………...……………….. (AGU) 2)بخش تولید آدرس -2 -2
عنوان صفحه
26….…...…....…...……………………… (PCU) 3)بخش کنترل برنامه -2 -2
روی چیپ...……………...……………….….… 27 cache 4)دستورالعمل -2 -2
27 .....….……………..……………...protA 5) اینترفیس حافظه خارجی -2 -2
و تولید کننده کلاک.………………..………. 27 (PLL) 6)حلقه قفل شده فاز -2 -2
7) پشتیبانی از اشکال زدایی سخت افزاری..…………………….………..... 28 -2 -2
29....…...…………………… (DMA) 8)دسترسی حافظه به صورت مستقیم -2 -2
30.........….………………..… (DATA ALU) 3)بخش محاسبات منطقی داده -2
30……………………....…….….…………… Data ALU 1) معماری -3 -2
31……………. (Y0, Y1, X0, X1) Data ALU 1-1 ) رجیسترهای ورودی -3 -2
ضرب کننده اکومولاتور)…………...………………… 32 ) MAC 2-1 ) بخش -3 -2
32..… (A1, A2, A0,B2, B1, B0) :Data ALU 3-1 ) رجیسترهای اکومولاتور -3 -2
4-1 ) شیفت دهنده اکومولاتور..……………………………..….….…… 33 -3 -2
33………………………………………. (BFU) 5-1 ) بخش رشته بیت -3 -2
6-1 ) شیفت دهنده / محدود کننده داده...………………………………… 34 -3 -2
7-1 ) مقیاس بندی…….…………..…....……………………………. 34 -3 -2
34 ………..….……………...……………… (AGU) 4)بخش تولید آدرس -2
35...…………………..…………………………..… AGU 1) معماری -4 -2
2) مدل برنامه ریزی..…………………..…………………..……….… 36 -4 -2
37……………..…………………………….. (PCU) 5)بخش کنترل برنامه -2
عنوان صفحه
1) دید کلی...………………………………………………….…… 37 -5 -2
39…...…..…………………………………. PCU 2) معماری سخت افزار -5 -2
40……………………………………………. PCU 3) مدل برنامه ریزی -5 -2
1-3 )رجیسترهای وضعیت و پیکربندی….……....………………..…….… 41 -5 -2
1-1-3 ) رجیستر مد عملیاتی………………………………..…….…… 41 -5 -2
42…………………...……..………..…… (SR) 2-1-3 ) رجیستر وضعیت -5 -2
4) پشته و بخش تعمیم یافته پشته..….………………………...…..…… 44 -5 -2
5) رجیسترهای عملکرد و پیکربندی پشته سیستم…...………………...…… 44 -5 -2
45………..…………………...……….. (SP) 1-5 ) رجیستر اشار هگر پشته -5 -2
46……...……..…..……...……………. (SC) 2-5 )رجیستر شمارنده پشته -5 -2
46….…...…..…………...………………… (SZ) 3-5 )رجیستر سایزپشته -5 -2
4-5 )برنامه، حلقه و کنترل پردازش رد کردن درخواست..…......……….…...… 47 -5 -2
47………….…...………………….. (PC) 1-4-5 ) رجیستر شمارنده برنامه -5 -2
47…….…………………...…………. (LA) 2-4-5 ) رجیستر آدرس حلقه -5 -2
48…….……...……………………. (LC) 3-4-5 ) رجیستر شمارنده حلقه -5 -2
48…….………………...……… (VBA) 4-4-5 ) رجیستر آدرس پایه بردار -5 -2
و تولید کننده کلاک.………………………..……………..…… 48 PLL(6 -2
49….………..………………………...……………….. PLL 1-6 )بلوک -2
1-1-6 )بخش پیش از تقسیم فرکانس………...…………….………….…… 49 -2
عنوان صفحه
2-1-6 )آشکارساز فاز ………...……………….………………..…….… 50 -2
50….……..…….……...………. (VCO) 3-1-6 ) اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ -2
1) تقسیم کننده فرکانس.…………………………………....…… 50 -3-1-6 -2
51………..…………………………...…….. PLL 2)عناصر کنترل -3-1-6 -2
1) تقسیم ورودی سیگنال ساعت………………...……….……… 51 -2 -3-1-6 -2
2) تکثیر فرکانس: (ضرب فرکانس).....……………………….....… 51 -2 -3-1-6 -2
3)حذف کردن انحراف موج……………...………………....…… 52 -2 -3-1-6 -2
4)عملکرد فرکانسی………...……………………………….… 52 -2 -3-1-6 -2
53….……...……………….………...………. PLL 3-6 ) مدل برنام هریزی -2
4-6 ) همزمان کردن سیگنال ساعت.………..……...……………..….….… 53 -2
53.….……....………………………...….… PLL 5-6 ) رهنمودهای طراحی -2
7) فضاهای حافظه و مدهای عملیاتی.………………………………....…… 54 -2
56..….….…………………….. DSP 1)نگاشت حافظه هسته خانواده 56300 -7 -2
56……..…………………………………..… X 1-1 ) فضای حافظه داده -7 -2
داخلی………………...…………………......…… 57 X, I/O 2-1 )فضای -7 -2
57…………………………...………...……… Y 3-1 )فضای حافظه داده -7 -2
خارجی / داخلی.……………………………..….. 57 Y, I/O 1-3-1 ) فضای -7 -2
4-1 )حافظه برنامه..……………………………………………...…… 58 -7 -2
بوت استرپ.…………………………….……..… 58 ROM 1-4-1 ) فضای -7 -2
عنوان صفحه
برنامه…………...…..…….…..…… 58 ROM 2-4-1 ) فضای رزرو شده برای -7 -2
3-4-1 ) حافظه برنامه خارجی…..…………………………...……….… 59 -7 -2
دستورالعمل داخلی………………………..….… 59 Cache RAM (4-4-1 -7 -2
2) مد سازگاری 16 بیتی…………….…………………………..….… 59 -7 -2
فصل سوم:پیاده سازی پروژه……...………...………………………….… 60
3) تشریح پروژه……………………………………………….........…… 61
1)اجرای پروژه…………………………………………...……….…… 61 -3
1)سخت افزار پروژه…..………………………………………….…… 61 -1 -3
63 ….….…………………...……….. ( D/A وA/D) CODEC ( 1 -1 -1-3
66….………………………………………….....… ESSI 2-1 )پورت -1 -3
68….……………………………………………... HOST 3-1 )پورت -1 -3
4-1 )اجزای جانبی………….……………….……………………….. 71 -1 -3
71…….……...……………………..……………… CPLD(1- 4-1-1 -3
2-4-1 )رگولاتور ولتاژ........................................................................... 74 -1 -3
2)نرم افزار پروژه……………………………………..……………… 79 -1 -3
81………..…………..……………………… FRONTED 1-2 )بخش -1 -3
82…………..….……………………………. BACKEND 2-2 )بخش -1 -3
83..……………………………………………. Find peak 3-2 )بخش -1 -3
4-2 )بخش آشکارسازی تون و مونیتورینگ آن..…………..………………… 83 -1 -3
عنوان صفحه
3)تست پروژه……...…………….…………………………..………… 84 -3
فصل چهارم: نتیجه گیری……………..…………..............…...…………… 86
4)نتیجه گیری وپیشنهادات……..…………………………..……………… 87
منابع و مأخذ……………………..……..……………………………..… 88
90………………………………...……………………… Abbreviation
پیوست..……………………...………………………………………… 93
چکیده انگلیسی
چکیده
در این پایان نامه، ابتدا اصول مشترک آشکار سازها مانند، قدرت تفکیک انرژی، بهره آشکارسازی، زمان مرده که برای درک عملکرد آشکا رساز ضروری هستند و نیز معیاری برای شناخت یک آشکارساز خوب می باشند، توضیح داده شده اند، در بخش دوم نیز در مورد بر هم کنش فوتون با ماده، معیارهای انتخاب آشکارساز ونیمه هادیهای معروفی که برای آشکارسازی استفاده می شوند، بحث شده است. نتیجه ای که از مقدمه (فصل اول) حاصل شده اینست که در حال حاضر نیمه هادی CdZnTe بهترین انتخاب برای ساخت آشکارسازهای پرتو ایکس و گاما است، بنابراین از فصل دوّم به بعد در مورد این نیمه هادی بحث شده است.
فصل دوم در مورد روشهای رشد، آماده سازی سطوح، فلز کاری و نوع الکترودها بحث می کند. در پایان این فصل نتیجه گیری شده است که آشکارسازها با الکترود شبکه ای بهترین عملکرد را دارند، لیکن ساخت آنها مشکل و در حال حاضر و با امکانات موجود در کشور عملی نیست. بنابراین پیشنهاد شده است از روش الکترود یکپارچه سطحی (اهمی) استفاده شود ،که این کار نیز با استفاده از امکانات موجود اپتیکی و لایه نشانی ساخته شده اند.
در فصل سوم نیز در مورد مدارهای الکترونیکی و مزایا و معایب مدارهای مختلف بحث شده است. در زمینه ساخت مدارهای الکترونیکی با وجود نرم افزارهای طراحی PSpice و HSpice و خرید قطعات مورد نیاز مشکل خاصی احساس نمی شود.
فصل چهارم به مدل سازی رفتار الکتریکی و نوری نیمه هادی CdZnTe می پردازد، در این فصل با روشهای محاسباتی و عددی و با استفاده از نرم افزار مطلب 6/1 پارامترهایی نظیر قابلیت تحرک (μ) و طول عمر حامل ها (τ) و بهره آشکارسازی نیمه هادی [η] طیف حاصل از جذب یک تک انرژی، قدرت تفکیک انرژی این نیمه هادی محاسبه شده است. در قسمت مدل سازی رفتار نوری این نیمه هادی نیز، محاسبه نقص های مختلف شبکه و تاثیر آن بر عملکرد نو ری و همچنین انرژی تله ها، سطح مقطع برخور د این نیمه هادی نیز محاسبه شده است.
پیشگفتار
پرتو های ایکس وگاما در صنایع مختلف کاربردهای فراوانی پیدا کرده اند. چون این دو پرتو به طور ناخواسته ممکن است تولید شوند، لذا باید آنها را شناسائی کرده و محیط اطراف را در مقابل آثارشان محافظت کرد. هنگامی که تولید این دو نوع پرتو عمدی باشد مقدار تولید نیز باید کنترل شده باشد. در هر صورت آشکارسازی و اندازه گیری شدت تابش تولید شده ضروری است. با توجه به کاربرد های فراوان و روز افزون این دو نوع پرتو در پزشکی، تست جوشکاریها ی حساس ، پرتودهی مواد غذائی، ایجاد موتاسیون در کشاورزی و دامپروری، اندازه گیریهای از راه دور، صنایع نظامی و احتمال برخورد خارج از کنترل این پرتو ها با جاندارن، ضرورت طراحی وساخت آشکارسازها ئی با دقت و کیفیت عمل بالا را دو چندان می کند.
بخش اول، فصل یک این پایان نامه، خواص مشترک تمامی آشکارسازها را فهرست وار برمی شمارد. با توجه به ضرورت درک مفاهیم ی نظیر بهره آشکارسازی، قدرت تفکیک انرژی، زمان مرده، منحنی های شمارش که از پارامترهای مشترک تمام آشکارسازها محسوب می شوند و شناخت آنها ضروری است. و عنایت به اینکه در انتخاب یک آشکارساز خوب ومناسب از این خواص بهره می گیریم، این مشخصات را با تفصیل بیشتری بررسی می کنیم.
آشکارسازهای نیمه هادی امروزه اکثر قریب به اتفاق تحقیقات در زمینۀ آشکارساز ی پرتو ایکس و گاما را به خود اختصاص داده اند، بنابراین محور بحث بخش دوم از فصل اول مقایسه ومروری مختصر در مورد این آشکارسازها است. این نوع آشکارسازها با کیفیت، دقت ، کارآیی بهتر و اندازه کوچکتر نسبت به سایر آشکارسازها ساخته و مورد استفاده قرار می گیرند.
فصل دوّم به روشه ای رشد نیمه هادی CdZnTe، طراحی انواع مختلف الکترودها، الزامات قبل از ایجاد اتصال های آند و کاتد و بررسی خواصّ هر کدام از آنها اختصاص یافته است.
در فصل سوم درباره مدارهای الکترونیکی شامل تقویت کننده و شکل دهنده و مدارهای دیجیتالی بحث شده است.
فصل چهارم به مدلسازی رفتار الکتریکی و نوری نیمه هادی CdZnTe و چگونگی تولید و انتقال بار در این نیمه هادی می پردازد. در این فصل ناخالصی های مختلف در این نیمه هادی، روشهای مطالعه مراکز بازترکیب و تله انرژی این مراکز بحث می کنیم.
در آخر نیز نتایج حاصل از این پژوهش و پیشنهادات و همچنین منابع و ماخذ و پیوست ها آورده شده است.
تعداد صفحه : 138
فهرست مطالب
عنوان.............................................................................................................................صفحه
چکیده................................................................................................................................. 1
پیشگفتار ................................................................................................................................. 2
γ و x فصل اول: مقدمه ای بر آشکارسازهای پرتو
بخش 1 : اصول کار آشکارسازها
-1-1-1 مقدمه............................................................................................................................. 5
-2-1-1 توصیف ساده آشکار سازی ...................................................................................................... 5
-3-1-1 مدهای کار آشکار سازها ......................................................................................................... 6
-4-1-1 اندازه گیری حدود طیف پالس ................................................................................................... 6
-5-1-1 قدرت تفکیک انرژی............................................................................................................... 7
-6-1-1 بهرۀ آشکار سازی .................................................................................................................. 8
-7-1-1 زمان مرده در آشکارسازها........................................................................................................ 9
بخش 2 : آشکارسازهای نیمه هادی
-1-2-1 ساز و کار برخورد پرتو با نیمه هادی ......................................................................................... 11
-1-1-2-1 اثر فوتوالکتریک.................................................................................................... 11
-2-1-2-1 اثر کامپتون........................................................................................................... 12
-3-1-2-1 تولید زوج الکترون - پوزیترون.................................................................................. 12
-4-1-2-1 پراکندگی همدوس................................................................................................. 12
-2-2-1 مشخصات کار آشکارسازهای نیمه هادی..................................................................................... 13
-1-2-2-1 جریانهای نشتی...................................................................................................... 13
-1-1-2-2-1 جریان نشتی بدنه.......................................................................................... 13
-2-1-2-2-1 جریان نشتی سطح ........................................................................................ 13
-3-2-1 اغتشاش در آشکارسازها........................................................................................................ 14
-4-2-1 تغییرات دامنه پالس با ولتاژ تغذیه آشکارساز............................................................................... 14
-5-2-1 زمان خیزش پالس................................................................................................................ 15
-6-2-1 پارامترهای مهم در آشکارسازهای نیمه هادی................................................................................ 15
-1-6-2-1 حساسیت کم نسبت به تابش..................................................................................... 15
-2-6-2-1 جریان اشباع معکوس کم ......................................................................................... 15
-3-6-2-1 طول عمر ............................................................................................................. 16
فهرست مطالب
ب
-4-6-2-1 اندازه فیزیکی........................................................................................................ 16
-5-6-2-1 توان تلفاتی........................................................................................................... 17
-6-6-2-1 خاصیت خازنی ..................................................................................................... 17
17.......................................................................................................(Si) -7-2-1 آشکارساز سیلیکانی
18....................................................................................................... (Ge) -8-2-1 آشکارساز ژرمانیم
18................................................................................... ( GaAs ) -9-2-1 آشکارسازهای گالیم آرسناید
19................................................................................................. 2HgI -10-2-1 آشکار ساز یدید جیوه
19.....................................................................................CdTe و CdZnTe -11-2-1 آشکار سازهای
-12-2-1 سایر آشکارسازهای نیمه هادی ............................................................................................... 20
CdZnTe فصل دوم: رشد آماده سازی وطراحی الکترود در آشکارساز
22........................................................................................................ CdZnTe -1-2 رشد نیمه هادی
-1-1-2 آماده سازی مواد اوّلیه.................................................................................................... 22
23...............................................................................CdZnTe -2-2 روش بریجمن برای رشد نیمه هادی
-1-2-2 محفظه فشار بالا ........................................................................................................... 23
-2-2-2 ساز و کار کشیدن بوته................................................................................................... 23
-3-2-2 واحد حرارتی .............................................................................................................. 24
25.......................................................................................CdZnTe -3-2 آماده سازی سطح نیمه هادی
-4-2 فرآیندهای مکانیکی و شیمیایی.................................................................................................... 26
29........................................................................... CdZnTe -5-2 مطالعه باز ترکیب در سطح نیمه هادی
-6-2 تاثیر ناپذیر کردن سطح ............................................................................................................. 31
-7-2 روشهای فلز کاری سطح ........................................................................................................... 31
-1-7-2 روش شیمیائی.............................................................................................................. 31
-2-7-2 روش تبخیر در خلا....................................................................................................... 32
-8-2 تحلیل اتصال فلز به نیمه هادی ( اتصال شاتکی).............................................................................. 34
-1-8-2 بدون اعمال تغذیه خارجی.............................................................................................. 34
-2-8-2 اتصال شاتکی با اعمال تغذیۀ خارجی ................................................................................ 37
-9-2 الکترودهای اهمی .................................................................................................................... 38
-1-9-2 تحلیل الکترودهای اهمی در غیاب تابش پرتو....................................................................... 38
-2-9-2 اندازه گیری جریان برحسب ولتاژ در الکترود یکپارچه............................................................ 39
-3-9-2 تاثیر پرتو گاما در تحلیل الکترود اهمی ............................................................................... 43
-10-2 الکترود باریکه ای................................................................................................................... 45
-11-2 آندهای شبکه ای .................................................................................................................... 46
-1-11-2 فن آوری ساخت...................................................................................................... 46
فهرست مطالب
ج
-2-11-2 خواص انتقال بار در آشکارسازهای شبکه ای .................................................................... 47
50............................................................................................. -12-2 الکترودهای شبه شبکه ای سطحی 2
فصل سوم: مدارهای الکترونیکی در آشکارسازها
-1-3 مقدمه............................................................................................................................. 53
-2-3 اتصال الکترودها به مدار الکترونیکی............................................................................................. 54
-3-3 پیش تقویت کننده.................................................................................................................... 54
-4-3 عنصر فیدبک در پیش تقویت کننده .............................................................................................. 56
-1-4-3 فیدبک های مقاومتی....................................................................................................... 56
در حالت اشباع ........................................................................................ 56 MOS -2-4-3 فیدبک
در حالت تریود......................................................................................... 57 MOS -3-4-3 فیدبک
-5-3 تاثیر خازن معادل نیمه هادی در ولتاژ خروجی پیش تقویت کننده......................................................... 57
-6-3 مشخصات ترانزیستور ورودی در پیش تقویت کننده ......................................................................... 58
59................................................................. CZT -7-3 تحلیل اغتشاش در مدارهای الکترونیکی آشکارساز
-1-7-3 آزمایش و اندازه گیری اغتشاش در یک پیش تقویت کننده ...................................................... 59
-8-3 شکل دهی پالس...................................................................................................................... 60
-1-8-3 طراحی مدار مشتق گیر................................................................................................... 60
-2-8-3 طراحی انتیگرال گیر....................................................................................................... 61
61................................................................................................. ( MCA ) -9-3 تحلیل گر چند کاناله
62.................................................................................... (A/D) -1-9-3 مبدلهای آنالوگ به دیجیتال
-1-1-9-3 مبدلهای آنالوگ به دیجیتال فلاش (سریع) .................................................................... 64
-2-1-9-3 تبدیل کنندۀ آنالوگ به دیجیتال ویلکلسون .................................................................... 65
-10-3 مبدلهای دیجیتال به آنالوگ....................................................................................................... 66
-11-3 سیستم دیجیتالی .................................................................................................................... 67
-12-3 مزایای سیستم دیجیتالی........................................................................................................... 68
68.................................................................... γ و X -13-3 فیلترهای دیجیتالی برای آشکارسازهای پرتوهای
CdZnTe فصل چهارم: مدل سازی خواص الکتریکی و اپتیکی
-1-4 مقدمه ............................................................................................................................. 72
-2-4 مشخصات یک آشکارساز ایده آل................................................................................................ 72
-3-4 شناسائی کریستال .................................................................................................................... 73
نسبت به آلیاژها ............................................................. 74 CdZnTe -3-4 بستگی گاف انرژی در نیمه هادی
-1-3-4 تعیین عملی درصد عناصر تشکیل دهنده کریستال.................................................................. 75
77.......................................................................... CdZNTe -4-4 توزیع روی در کریستال رشد داده شده
فهرست مطالب
د
77.....................................................................................CdZnTe -5-4 تولید و انتقال بار در نیمه هادی
80......................................................CdZnTe -6-4 محاسبۀ قابلیت تحرک و طول عمر حاملها در نیمه هادی
-1-6-4 محاسبه عملی قابلیت تحرک و طول عمر حامل ها................................................................. 82
-2-6-4 محاسبه بهره آشکارسازی................................................................................................ 83
87........................................................................... CdZnTe -7-4 اندازۀگیری طیف انرژی در آشکارساز
-8-4 آزمایش عملی پاسخ حسگر ساخته شده ....................................................................................... 90
-1-8-4 استفاده ازپرتو گاما........................................................................................................ 90
-2-8-4 اندازه گیری پاسخ حسگر به نور لیزر ................................................................................ 90
92.................................................................................CZT -9-4 ناخالصیها ونقایص شبکه در نیمه هادی
96...............................................................................CdZnTe -10-4 مدل سازی رفتار نوری نیمه هادی
97.................................................... CdZnTe -1-10-4 مطالعه تله ها و مراکز باز ترکیب در نیمه هادی
97.................................(TEES) -1 روش اندازه گیری اثر طیف نگاری ترمو الکتریک -1-10-4
-2-1-10-4 آهنگ کاهش زمانی.................................................................................... 99
جهت تعیین محل تله ها) CdZnTe برای نیمه هادی I-T -3-1-10-4 کارهای عملی ونتایج(منحنی های
100
102 ............................... CdZnTe برای مطالۀ نواقص نیمه هادی PICTS -4-1-10-4 روش
-5-1-10-4 اندازه گیری عملی زمان خیز و افت در آشکارساز ........................................... 106
نتیجه گیری و پیشنهادات
نتیجه گیری............................................................................................................................... 109
پیشنهادات............................................................................................................................... 111
پیوست ها............................................................................................................................... 112
منابع و مأخذ
منابع فارسی ............................................................................................................................ 117
منابع غیرفارسی