تقویت کننده:
یک آمپلی فایر قدرت منولیتیکی Si PCS-CDMA با 30%PAE در 1.9GH2 با استفاده از یک شمای بایاس کردن جدید.
چکیده:
یک آمپلی فایر قدرت (PA) منولیتیک Si برای سیستم ارتباطات شخصی (PCS)- CDMA قادر به ایجاد توان خروجی 28.2dBm با 30% بازده افزوده توان و 45dB نسبت توان کانال مجاور در 1.9GHz و 3.6V ولتاژ تغذیه برای اولین بار در این مقاله ارائه می شود. PA بکار گرفته شده در یک فرایند 30GHz-Bicmos از یک شمای بایاس قابل کنترل با امپدانس به منظور کنترل کلاس کاری و مقاومت بایاس طبقه خروجی استفاده می کند. برای مقایسه هر دو نتایج و داده های شبیه سازی شده و اندازه گیری شده نشان داده شده اند.
عبارات متن: مدارات مجتمع آنالوگ BiCMOS- دستیابی چندگانه تقسیم کد، آمپلی فایرهای قدرت، آمپلی فایرهای فرکانس رادیویی.
1- مقدمه
تقویت کننده های قدرت رادیویی (RF) منولیتیکی (PAS) برای کاربرد در گوشی موبایل از لحاظ نسبتی در قلمرو تکنولوژیهای GaAs بودند. کوششهائی برای طراحی PAS غیرخطی در هر دو باند فرکانس سلولی (900MHz) و باند فرکانس سیستم ارتباطات شخصی (1.96GHz) با استفاده از تکنولوژیهای Si صورت گرفته است. اخیراً PAS فرکانس زیاد خطی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای دو قطبی اتصال ناهمگن (HCBT) Sge در بالای دو باند بالا شرح داده شده اند.
PA برای کاربردهای دسترسی چندگانه تقسیم کننده کد (CDMA) در باند پایین باید بتواند 28dBm قدرت (توان) خروجی با PAE 30% (بازده افزوده توان) و 44.1dBc نسبت توان کانال مجاور (ACPR) ایجاد کننده در حالیکه CDMA AP در باند بالایی می تواند 30dBm قدرت (توان) خروجی با 41F% PAE و 46dBc- ACPR ایجاد کنند.
بهرحال مورد اخیر هنوز یک راه حل ترکیبی است. بهره RFAS منولیتیک Si از لحاظ هزینه پایین مجتمع سازی با سایر مدارات وسیع و اصلی بر پایه Si دارای مزایائی است. تابحال هیچ گونه Si PCS-CDMA PA منولیتیکی گزارش نشده است.
شمای هدولاسیون سیستم CDMA نیازمند است که PA استفاده شده در گوشی بصورت زیادی خطی باشد و بنابراین طراحی یک PCS-CDMA PA منولیتیکی با کارآئی (بازده) زیاد است.
با استفاده از تکنولوژیهای Si به دلیل تلفات سوبسترا و پارازیتهای ذاتی زیادشان مشکل است.
یک Si PCS-CDMA PA منولیتیک قادر به ایجاد توان خروجی برابر با 28.2dBm با PAE 30%، ACPR - 45dBc و بهره 21.5dB در 1.9GHz و ولتاژ تغذیه 3.6V برای اولین بار در این مقاله شرح داده می شود. PA بصورت تراشه روی بورد اتصالی (COB) با قطعات نصب سطحی ارزان قیمت برای هر دو شبکه های تطبیق دهنده ورودی و خروجی ساخته شده است. نتایج از یک بورد آزمایشی RF-4 با استفاده از یک سیستم اندازه گیری بدست آمده اند.
در بخش 2 یک شمای بایاس کردن مرسوم برای طبقه خروجی PA مورد بحث قرار گرفته است. یک شمای بایاس کردن کنترل شده با امپدانس برای PA و مزایای آن نسبت به روش مرسوم در بخش 3 ارائه شده است. نتایج شبیه سازی شده و اندازه‌گیری شده PA با شمای بایاس کردن کنترل شده با امپدانس در بخشهای 4و5 به ترتیب داده شده اند. مطالب، در آخر، در بخش 6 نتیجه گیری شده است.
شامل 16 صفحه word به همراه مستندات و تصاویر
دانلود تحقیق آمپلی فایر
