ربات تکرار کننده و حافظه دار

اختصاصی از فایلکو ربات تکرار کننده و حافظه دار دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نوع فایل:WORD

تعداد صفحه:31

نگارشگر:...

قابلیت ویرایش: دارد

چکیده:

هدف از این پروژه ساخت ربات حافظه دار وتکرار کننده می باشد.که با استفاده از دو سنسور گیرنده و فرستنده  مادون قرمز و یک استپ موتور و یک میکروکنترولر و  lcd 16*2  و همچنین یک شفت انکودر کار می کند .  سخت افزار ربات به گونه ای است که تنها یک سمت آن دارای چرخ دوار میباشد و طرف دیگر آن ثابت بدون حرکت است. طبیعتا در این حالت حرکت ربات تنها می تواند تحت شعاع دایره فرضی خودش حرکت کند و ان مسیر را به حافظه بسپارد و آن مسر را تکرار کند...

در این پروژه رباتی  معرفی می شود که توانایی شمارش قطع و وصل شدن ارتباط سنسور های مادون قرمز دارد و چون این ربات فقط حرکت چرخشی دارد  میکرو این شماره را با برنامه نویسی به زاویه تبدیل می کند و روی lcd  به نمایش می گذارد و همچنین این حرکت را با توجه به زمان طی شده به مسافت تبدیل می کند و ان را به خاطر می سپارد تا تا دوباره بتواند آن را تکرار کند. در کل اساس کار این ربات بر قطع و وصل شدن ارتباط سنسور های مادون قرمز میباشد.کد برنامه در محیط برنامه نویسی بسکام ایجاد شده و کل مدارد در  نرم افزارProteus شبیه سازی شده است.

• مقدمه
• فصل اول (مروری برگذشته )
• تاریخچه   
• فصل دوم (روش تحقیق ولوازم مورد نیاز پروژه)    
• هداف پروژه
• شناسایی نیاز پروژه
• مدیریت مدار  
• شناخت قطعات اصلی مدار
• فصل سوم (اجرا ونتایج پروژ)

10- لیست قطعات مورد نیاز مدار     

11- عمل کرد هر قطعه

12    - تست مدار     

     13- برنامه میکرو   

     14- توضیح مدار 

    15- اماده سازی فیبر مدار چاپی و لحیم کاری قطعات  

    16- نحوه  عملکرد مدار 

    17- فصل چهارم (بحث ، نتیجه گیری ،پیشنهاد)  

    18- بررسی  پروژه  

پایان نامه رشته برق حافظه داخلی تلفن

اختصاصی از فایلکو پایان نامه رشته برق حافظه داخلی تلفن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پایان نامه رشته برق حافظه داخلی تلفن با فرمت ورد و قابل ویرایش تعداد صفحات 49

دانلود پایان نامه آماده

تاریخچه و مقدمه :

ریزپردازنده وسیله ای است که می توان با دادن فرمان آن را به عملیات مختلف واداشت . یعنی یک کنترل کننده قابل برنامه ریزی است . همه ریزپردازنده ها سه عمل اساسی یکسانی را انجام می دهند : انتقال اطلاعات ، حساب و منطق ، تصمیم گیری ، اینها سه کار یکسان هستند که به وسیله هر ریزپردازنده ، کامپیوتر کوچک یا کامپیوتر مرکزی انجام می شود .اولین ریزپردازنده تک تراشه ای ، ریزپردازنده Intel 4004 بود که توانست دو عدد 4 بیتی دودویی را جمع کند و عملیات متعدد دیگری را انجام دهد .

4004 با معیارهای امروزی یک وسیله کاملا ابتدایی بود که می توانست 4096 مکان مختلف را آدرس دهد. برای حل این مسئله بود که ریزپردازنده 8 بیتی ( 8008 ) به وسیله شرکت Intel معرفی شد .

Intel 8008:

Intel 8008 توانست اعداد 8 بیتی را ( که بایت نامیده می شوند ) به کار گیرد ، که این خود پیشرفت بزرگی نسبت به 4004 بود . تقریبا در همان زمان گشایشی در ساختن مدارهای منطقی NMOS ( نیمه هادی اکسید فلز از نوع N )پیش آمد . منطق NMOS بسیار سریع تر از PMOS است . به علاوه از یک منبع تغذیه مثبت استفاده می کند که آن را برای اتصال به مدارهای منطقی TTL سازگارتر می کند . خصوصیات مذکور از این جهت دارای اهمیت است که بسیاری از مدارهای جنبی ریزپردازنده از نوع TTL هستند . NMOS سرعت ریزپردازنده را با ضریبی در حدود 25 بار افزایش می دهد که رقم چشمگیری است .

این تکنولوژی جدید درساختمان ریزپردازنده معروف امروزی یعنی Intel 8080 به کار برده شد .

فهرست مطالب


عنوان                                                                                                          صفحه                                                                                                                               
چکیده     1
مقدمه    2
انواع میکرو پروسسورها    5
مختصری راجع به AVR    8
خصوصیات Atmega16L    11
پیکره بندی LCD    26
تعیین نوعLCD    27
شماتیک آی سی ATMEGA16    33
نرم افزاروسخت افزار حافظه...............................................................................................34
نرم افزار...............................................................................................................................35
شکل مدار سخت افزار    .46
ضمایم    .48


 

آموزش تندخوانی و تقویت حافظه دکتر سیدا

اختصاصی از فایلکو آموزش تندخوانی و تقویت حافظه دکتر سیدا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این کتاب آموزش تندخوانی و تقویت حافظه دکتر سیدا می باشد که کاملاً جدید می باشد.

شما بدون نیاز به رفتن به کلاس های تند خوانی و تقویت حافظه دکتر سیدا با قیمت های گزاف می توانید این فایل آموزشی را خریداری کنید و همچنین با خرید این فایل آموزشی در کار خیر هم سهیم باشید.

حافظه های فلش

اختصاصی از فایلکو حافظه های فلش دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

کتب کامل همرا مباحث تخصی و مفید، توضیح نکات وآموزش انواع حافظه های فلش اطلاعات پیشرفته مباحث به صورت فارسی درزمینه اصول مبانی,تونل زنی الکترن,ترانزیستورهای اثرمیدان,انواع حافظه های فلش,حافظه های نوع NOR وحافظه های نوع NAND, منابع و....

مقاله حافظه DRAM

اختصاصی از فایلکو مقاله حافظه DRAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات15

مقدمه :

همانطوریکه می دانیم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تکنولوژی به حافظه برای تجهیزات مختلف نیازمند است . یکی از انواع حافظه ها DRAM یا Dynamic Random memory می باشد که این DRAM ها مصارف مختلفی دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainment و infocom و جاهای دیگر صنعتی. 

برای ساخت DRAM در تکنولوژیهای مختلفی استفاده شده است که ما در اینجا از ساده ترین DRAM ها شروع می کنیم که از یک ترانزیستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM  های 1k و 4k و 16k و ... می پردازیم . و نهایتاً یکی از تکنولوژیهای جدیدی که در ساخت DRAM ها بکار رفته است را شرح می‌دهیم . این تکنولوژی های ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) می باشد .

بنابراین بطورکلی این روژه از 2 قسمت تشکیل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضیح راجع به DRAM ها (از جهات مختلف) و مقایسه و کاربرد آنها و ... می باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضیح راجع به تکنولوژی SO1 و کاربرد آن در DRAM می باشد .

شرح پروژه :

قسمت اول , ساختمان و خصوصیات DRAM :

DRAM در واقع مخفف Dynamic Random Access Memory است که حالت ساده آن به شکل زیر است که از یک ترانزیستور ساده و خازن و یک AMP تشکیل شده است .

DRAM ها دارای خصوصیاتی از جمله Read و Write هستند . اساس سلول DRAM از نظر Cross-Section و Layout در شکل زیر مشخص است و عیب این روش area می باشد . علاوه بر این ، 2 خصوصیت عمده از DRAM ها ذکر شده است که عبارتند از :

1-Stacked cell(Expand up) : طبق شکل

2-Trench cell(Expand Down)  : طبق شکل

همانطوریکه گفته شد DRAM می تواند عمل Read و Write را انجام دهد .

برای عمل write باید bitline یا در حالت high باشد یا low و word line باید از موقعیت high باشد .

اما برای عمل Read bitline در وضعیت precharge است تا ولتاژ halfway شود (یعنی حالت high و Low) و باز هم Word Line در وضعیت high است .

در DRAM یک AMP حسی داریم که وضعیت charge را آشکار می کند و این Charge به خازن وابسته است .