تحقیق در مورد بررسی روش‌های اندازه‌گیری یون کلرید در بتن‌های سخت شده و انتخاب روش بهینه و تهیه دستورالعمل آن

اختصاصی از فایلکو تحقیق در مورد بررسی روش‌های اندازه‌گیری یون کلرید در بتن‌های سخت شده و انتخاب روش بهینه و تهیه دستورالعمل آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل :word (لینک دانلود پایین صفحه) تعداد صفحات 17 صفحه

یکی از عوامل خوردگی بتن در محیط‌های خورنده به ویژه در سواحل خلیج فارس و دریای عمان، یون کلرید است. در سال‌های اخیر تعداد زیادی از سازه‌های بتنی در کشورهای مختلف دنیا از جمله نقاطی از کشور ایران دچار آسیب‌دیدگی با خرابی زودرس ناشی از خوردگی کلریدی شده است. از آنجائی‌که کلرید از طریق اجزای تشکیل‌دهنده بتن نظیر آب، سیمان، سنگدانه، مواد افزودنی و همچنین آبهای نفوذی (املاح محلول در آنها)  به داخل بتن راه می‌یابد و حداکثر مجاز یون کلرید 4/0 درصد وزنی سیمان در بتن مسلح ساخته شده با سیمان پرتلند معمولی تعیین شده است، لذا لازم است مقادیر یون کلرید موجود در بتن برای شناخت وضعیت بتن از نظر مقاومت در برابر خوردگی، نگهداری و تعمیر به طور دقیق اندازه‌گیری شود و در زمینه انجام عملیات پیشگیری و تقویت احتمالی اقدامات مؤثر صورت گیرد. با استفاده از روش‌های مختلف آزمایشگاهی ( تیترومتری، گراویمتری و دستگاهی)، یون کلرید در نمونه‌های سیمان و ملات حاوی مقادیر مشخص و مختلف کلرید سدیم، اندازه‌گیری می‌شود. با توجه به نتایج به دست آمده، بهینه روش، انتخاب شده و دستورالعمل روش آزمایش استاندارد تعیین یون کلرید در بتن‌های سخت شده تهیه می‌گردد.

بررسی کاربرد مواد پلیمری در صنعت ساخت و ساز ایران و ارائه راهکارها

با وجود اینکه در چند دهه اخیر کاربرد پلیمر در صنعت ساختمان در کشورهای صنعتی با تحولات چشمگیری همراه بوده‌است، ولی متأسفانه در کشور ما تا به امروز تحقیقات و بهره‌برداری از علوم و تجربیات به‌دست آمده در دیگر کشورها در حال طی کردن مراحل اولیه است.

با توجه به نیازهای جدید صنعت ساختمان، لازم است هر چه سریع‌تر مطالعاتی جهت تعیین قابلیت‌ها و نیاز‌ها در کشور و ارائه راهکارهایی جهت استفاده بهینه از پلیمرها در ساخت و ساز کشور صورت گیرد.

در بخش اول این پروژه، به‌منظور آشنایی کلی خواننده با پلیمرها اطلاعات مفیدی ارائه گردیده‌است. این اطلاعات شامل دسته‌بندی پلیمرها و آشنایی با انواع مهم آنها و خواص عمومی هر کدام می‌باشد. در ادامه، کاربردهای مهم پلیمرها در صنعت ساختمان پس از تعریف یک کد طبقه‌بندی کاربردی از مصارف پلیمرها در ساختمان ارائه گردیده‌است.

دانلود تحقیق یون گیری واکنشی 65 ص

اختصاصی از فایلکو دانلود تحقیق یون گیری واکنشی 65 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : علوم پزشکی _ پزشکی ،

فرمت فایل:   ( قابلیت ویرایش و آماده چاپ ) 

فروشگاه کتاب : مرجع فایل 

---

 قسمتی از محتوای متن ...

تعداد صفحات : 98 صفحه

مقدمه : یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر سخنران: Herbert H.
Sawin پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA پیشنهادهای فهرست شدة سمینار: July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست ارزیابی های سمینار معرفی سمینار طرح کلی سمینار شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان روند کار و نوع سمینار اطلاعات برای ذخیره جا در هتل اطلاعات ثبت نام آموزش در سایت یادداشتهای نمونه سمینار مقالات اخیر ساوین تماس ها برای سوالات ثبت نام در وب سایت اطلاعات ناحیة بوستون سوابق آقای ساوین 1-معرفی فیزیک پلاسما فرآیند ریزالکترونیک 2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics) مدل سیفتیک گازی مدل توزیع ماکسول- بولتزمن مدل گازی ساده شده محتوای انرژی نرخ برخورد بین مولکولها مسیر آزاد سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح فشار گازی خواص انتقال جریان گاز وضعیت سیال رسانایی رساناها احتمال برخورد پراکندگی گاز- گار پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت انتشار ارتجاعی برخورد غیر ارتجاعی نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی عکس العمل های فاز- گازی 3-فیزیک پلاسما توزیع انرژی الکترونی سینتیک همگونی پلاسما مدل توزیع (مارجینوا) مدل توزیع (دروی وشتاین) انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی سینتیک گاز رقیق شده شکافت انتشار دو قطبی تجمع غلاف سینتیک سادة غلاف حفاظت یا پوشش «دیبای» تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm) آزمایش غلاف بوهم خصوصیات میلة آزمایش شکست و نگهداری، تخلیة rf تقریب میدان مشابه تقریب میدان غیرمشابه مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf اندازه گیری تخریب rf مدل توازن الکترونیکی مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf) سیستم همگن (متقارن) توزیع ولتاژ در سیستم rf توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن مدار معادل تخلیة rf تنظیم الکترودها سینتیک بمباران یونی تخلیة اپتیکی لم اندازه گیری حرکت ریزنگاری تخلیة اپتیکی فرآیند برخورد الکترون برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما 4-تخلیه های مدار مستقیم (DC) امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی بمباران خنثی امیژن ثانویه عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی ناحیة کاتدی یونیزاسیون در غلاف توزیع انرژی یونها الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع) ناحیة آند مدل سازی پلاسمایی DC 5-تخلیه های Rf فیزیک پلاسمای rf خازنی فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون فیزیک تخلیة هلیکون پیکره بندی و سخت افزار رآکتور همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده تنظیم کننده های موج کوتاه رآکتورهای لوله ای رآکتورهای صفحه موازی (دیودی) رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن گیرندگان یون واکنشی گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
گیرندگان اشعه یون واکنشی بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین گیرندگان دیودی ارتجاعی رآکتورهای تریودی بایاسینگ Rf محدود کردن مغناطیسی چند قطبی منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی ECR توزیع شده منابع در حال جریان نزولی ماگنترولها مونتاژ کردن لایه لایه ای تبرید برگشتی هلیوم محکم کاری الکترواستاتیک جستجوی نقطة نهایی تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی ثبت حرکات تداخلی ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی فاز گازی تولید اتم اکسیژن بارگزاری رآکتورها واکنشهای سطحی شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
ارتقاء پلمیری سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+ پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
طیف نگاری تخلیه اپتیکی توده نگاری میکروسکوپی میلة آزمایش لانگ میر فلورسنت القایی با لیزر تحلیل امپدانس پلاسمایی ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده 8-الکترون گیری جلوه ها ده مبارزه برتر الکترون گیری مکانیزمهای گسترش مقطعی جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما پراکندگی یونی در جوله های خاص تغییر سطوح در جلوه های ویژه الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی اتم گیری با القاء یونی اتم گیری خودبخود جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات شکست جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا) نسبت منظری الکترون گیری وابسته تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات 9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی مدل سازی سطحی ساده شده خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده پراکندگی از قسمت سطح منبع ارتقاء کیفیت سطحی مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها پراکندگی یونی جهت دار شدن یونی زاویة ماسک ترکیب مجدد سطحی جابجایی از پلاسما تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری خشن کردن سطوح در حین اتم گیری 10-تخریب پلاسما آلودگی خصوصیات منحصر به فرد تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی تخریب چهارچوبها و قابها خوردگی بعد از اتم گیری 11-فرآیندهای اتم گیری الکترون گیری و الکترون دهی اعضا پلی سیلیکون الکترون گیری دروازه ای الکترون گیری اکسیدی الکترون گیری نیتریدی الکترون گیری دی الکتریک با K پائین الکترون گیری آلومینیوم الکترون گیری مس 12-جابجایی انتشار جرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی ها جابجایی انتشار بایاس تنظیم با خط صحیح دید منابع رطوبت ده با غلظت بالا ترکیب و آلیاژ جابجایی انتشاری عکس العملی مقدمه چینی برای هدف جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما وسایل و تجهیزات مربوط به VD تمیز کردن اطاقک واکنش عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت نیترید سیلیکون دی اکسید سیلیکون آکسی فلورید یدهای سیلیکون اکسیدهای سیلیکون و کربن لایه های پرفلور و کربن 13-پردازش کار با پلاسما در سطو بزرگ جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیرین استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته مقیاس گذاری منابع پلاسما منابع پلاسمای خطی منابع جاری پلاسما 14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند وسایل عمل آزمایشی آزمایشات مشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدی مکانیزم پیش بینی شده برای کاهش استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC) کاهش PFCهای دیگر جمع بندی کاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسما سابقه خلاصة نتایج نمرة تحقیقات و نتایج محاسبات سینیک شیمیایی رآکتورهای کاهنده تجارتی رآکتورهای کاهنده تجارتی موج سطحی 15-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک استرلیزه کردن با پلاسما صفحة مدار چاپی از نوع دوتایی که با چسب به هم متصل می شوند مراحل پردازش میکرومکانیکی الکترون گیری عمیق چندگانه ای زمانی الکترون گیری Si در سیستم STS نسبت الکترون گیری نسبت منظری پیامد الکترون گیری RIE وابسته نسبت الکترون گیری ضد نور متحدالشکل بودن عوامل تقویت کننده 16-ضمیمه 17-مرجع ها معرفی سمینار (همایش) تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند.
کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند.
درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند.
در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.
بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک.
ارائه مدل هم به سبک فیزیک پلاسما و هم شیمی پلاسما مورد بحث قرار خواهد گرفت.
ساختار (ساختمان) که از این مفهوم نشأت می گیرد، پیکره بندی و ساختارهای رآکتور پلاسمایی برتر، برای بدست آوردن (ساختن) یک درک و فهم ثابت و استوار از این مقوله، مورد بحث قرار خواهد گرفت.

  متن بالا فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.شما بعد از پرداخت آنلاین فایل را فورا دانلود نمایید

بعد از پرداخت ، لینک دانلود را دریافت می کنید و ۱ لینک هم برای ایمیل شما به صورت اتوماتیک ارسال خواهد شد.

( برای پیگیری مراحل پشتیبانی حتما ایمیل یا شماره خود را به صورت صحیح وارد نمایید )

«پشتیبانی فایل به شما این امکان را فراهم میکند تا فایل خود را با خیال راحت و آسوده دریافت نمایید »

دانلود پاورپوینت یون ها - 49 اسلاید

اختصاصی از فایلکو دانلود پاورپوینت یون ها - 49 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

یونها برای عملکرد مغزمان مورد نیاز هستند

(یونها اجازه درک و فهم به ما می دهند)

برای دانلود کل پاورپوینت از لینک زیر استفاده کنید:

دانلود مقاله اثر اتیلن تتراسین (Trien) روی فلوتاسیون یون Ni2+, Cu2+

اختصاصی از فایلکو دانلود مقاله اثر اتیلن تتراسین (Trien) روی فلوتاسیون یون Ni2+, Cu2+ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مشخصات این فایل
عنوان: اثر اتیلن تتراسین (Trien) روی فلوتاسیون یون Ni2+, Cu2+
فرمت فایل : word( قابل ویرایش)
تعداد صفحات: 14

این مقاله درمورد اثر اتیلن تتراسین (Trien) روی فلوتاسیون یون Ni2+, Cu2+ می باشد.

خلاصه آنچه در مقاله اثر اتیلن تتراسین (Trien) روی فلوتاسیون یون Ni2+, Cu2+ می خوانید :

- نتایج و بحث
1-3- تست های گزینش یون فلز
سیستم SDS- Cu- Ca برای ارزیابی قابلیت Trien در ترفیع تفکیک یون ها بررسی شده بودند- محلول ها در PH حدود 6.3 نگه داری شده بودند که در اینجا Cu2+ کاملاً توسط ملیت های استوکیومتریک Trien کمپلکس شده است در حالی که Ca2+ این گونه نیست. شکل 4 نشان می دهد که کمپلکس Trien Cu2+- به طور قابل توجهی سر تعمیر از Cu2+ زدوده شده و نهایتاً به غلظت نهایی  Cu2+ رسید.
این مقدار با رفتار سیستم SDS- Ca- Cu بدون Trien (شکل 5) فرق دارد که در اینجا Cu2+ سهر تعمیر از Cu2+ حذف شده و سرانجام به غلظت کمی کمتر رسید. کمپلکس سیون Cu2+ با Trien باعث بهبود چگالی جذب سطحی آن با DS- شد که احتمالاً سرعت جذف آن را افزایش قابل توجهی داده و حذف آن را از محلول های خیلی دقیق تسهیل می کند. این نتیجه برای مصارف پتانسیل فلوتاسیون یون در سم زدایی سیالات خروجی و آب ها با غلظت های کلسیم بالا علاوه بر حلال های سمی خیلی مهم بود. برای بررسی بیشتر اثر trine روی فلوتاسیون یون یون های فلزی، رفتار محلول های فلزی بررسی شده بود.

2-3- فلوتاسیون یون و کشش سطحی
شکل های 6 و 7 رفتار فلوتاسیون یون Cu2+  و Ni2+  را با SDs در حضور و عدم حضور Trien مقایسه می کند. Trien باعث بهبود قابل توجه سرعت یون زدایی فلز و کاهش غلظت نهایی به دلیل کمپلکساسیون Trien - M2+  و تغییر حاصل در انرپی آزاد جذب سطحی در حد فاصل هوا/ محلول شد. این مورد نشان می دهد که اثر Trien در بهبود قابلیت انتخاب مس نسبت به کلسیم به دلیل بهبود فلوتاسیون مس بوده است.
شکل های 8 و 9 کشش های سطحی محلول های یون های فلزی SDs در وجود Trien را به صورت تابعی از غلظت SDS نشان می دهد. دی یون فلز و Trien نصف SDS بودند تا تعادل ستوکیومتری حفظ شود. غلظت های یون فلز و Trien.
کشش های سطحی، پیشش بیشتری را در مورد اثر کمپلک سیون Trien روی کشش سطحی فراهم می سازد. در غلظت مواد فعال متوسط و بالا، غلظت ویژه SDS موقع وجود Trien باعث کاهش قابل توجه کشش سطحی شد. گرادیان سختی کشش سطحی در حضور Trien در غلظت های متوسط به طور قابل توجهی منفی تر بود. معادلات 1 و 2 نشان می دهند که این مورد متناسب با چگالی های جذب سطح بالاتر دودکیل سولفات و یون های فلز موقع کمپلکس شدن یون های فلز توسط Trien می باشد.
چگالی جذب سطحی در شروع هر تست فلوتاسیون یون از گرادیان های شکل های 8 و 9 و با استفاده از معادله 1 بر آورده شده بودند. این چگالی ها در جدول 3 همراه با مساحت معادل هر ملکول نشان داده شده اند. این چگالی ها قابل مقایسه با مقادیر 3-5.89 ymollm2 حاصل از تکنیک های حباب و رادی ردیاب تریسیوم می باشد. معلوم است که Trien چگالی جذب سطحی دو دکیل سولفات را افزایش و مساحت / ملکول را تا %20 در سیستم SDS- Cu و جحدود %10 در سیستم SDS – Ni کاهش داده است که تأثیر می گذارد Trien همراه با زنجیره های دودکیل در طرف بخار حد فاصل محلول/ بخار جذب شده از این رو انتظار می رود که چگالی جذب سطحی دودکیل سولفات را کاهش و مساحت / ملکول را افزایش می دهد.
میزانی که Trien جذب سطحی را افزایش می دهد می تواند از لحاظ کمی برآورد شده باشد. مشخص است که افزایش طول زنجیره هیدروکربن الکیل سولفات، باعث کاهش کشش های سطحی محلول های آبی این مواد فعال می شود. شکل های 8 و 9 نشان می دهند که اضافه شدن Trien اثر مشابهی دارد. برای تخمین تغییر کلی انرژی آزاد گیبس مربوط به جذب مشترک کمپلس های Trien – فلز با DS- در حد فاصل هوا محلول در مقایسه با جذب سطحی مشترک کاتیون های ساده، غلظت های SDs متناسب با کشش سطحی 0.05N/m برای همه سیستم ها مشخص شده بودند. که در جدول 4 نشان داد. شده است. انرژی آزاد گیبس لازم برای انتقال یک سول یون های فلز ساده از محلول انبوه به حد فاصل هوا/ محلول می تواند به صورت   نوشته شود: معادله یک معادله مشابه می تواند برای این انرژی و برای سول Trien M (II) نوشته شود یعنی   .

با فرض این که ضخامت ناحیه های مشابه تنش کششی مشابه y است:
واقعیتی که جذب سطحی با دودکیل سولفات از لحاظ انرژی برای کمپلکس های Trien – فلز مطلوب تر از یون های آبی فلز است ممکن است انعکاس و هنر، سهولت بیشتر هیدراسیون کمپلکس Trien- فلز یا فعل و انفعال مستقیم بین Trien و موزهای دیگر موجود در ناحیه مشترک باشد که در محلول توده وجود ندارد. علاوه بر این خاصیت هیدروفوبیک گروه های اتیلن Trien باعث کاهش   یعنی انرژی گیبس جابجایی اسفر هیدراسیون تا نور خورشید خواهد شد.
اگر سهولت بیشتر دهرریسیون تنها از مطلوب روی جذب سطحی کمپلک های فلز- Trien باشد مزد چگالی های جذب سطحی مشاهده شده در فرایکی اشباع در هر دو سیستم SDS- Ni(II) – Tiren , SDS – Cu (II) را مستثنی نخواهد کرد به نظر متحمل می رسد که Trien با نوردهای دیگر موجود در ناحیه میانی واکنش می دهد. این واکنش بعید است که باز محیره هیدروکرین ددوکیل سولفات یا گروه های سر سولفات باشد. به احتمال بیشتر این فعل و انفعال، فعل و انفعالات هیدروفوبیک بین قسمت های اتیلن کمپلکس های Trien- فلز مجاور خواهد بود.
گیاند Trien ، شش گروه CH2 را به همراه هم وارد که به صورت قسمت های اتیلن آرایش یافته است (شکل 1). از اندازه   واضح است که فعل و انفعال هیدروفوبیک بایستی ناچیزتر از موردی باشد که همه گروه های اتیلن بتوانند فعل و انفعال نزدیکی با گروه های اتیلن و کمپلک های مجاور داشته باشند. اولاً محدودیت های قابل توجهی وجود دارد که از فعل و انفعال بهینه بین زنجیره های اتیلن مجاور یون های کمپلکس فلز – Trien جلوگیری می کند. چرخش های را لزوم کمپلکس ها، باعث جابجایی گروه های اتیلن Trien از پلان نزدیک به کمپلکس های مجاور خواهند شد. ثانیاً کمپلکس های فلز- Trien می توانند در بهترین شرایط تنها در یک پلان بحرانی محلول آبی واکنش دهند. زنجیره های هیدروفوبیک مواد فعال دیکتاتیک در طرف بخار حد فاصل بخار/ محلول قرار دارند.
گروه های CH2 در یک لایه هیدروکبن نازک تعبیه شده و می توانند با گروه های CH2 دیگر در سردیماسیون فعل و انفعال برقرار نمایند. سرانجام برخی از فرایند هیدروسیون اضافی برای فعل و انفعال گروه های اتیلن روی کمپلکس های فلز- Trien مجاور لازم بودند.

4- خلاصه:
موقعی که فلوتاسیون یون با دودکیل سولفات در مخلوط یون های کلسیم و مس در حضور Trien انجام شد. مس حذف می شود. این رفتار می تواند، مصارف صفری در عملیات آبی و سیال خروجی داشته باشد.
Trien  سرعت های حذف Nizr, Cuzr را طی فلوتاسیون یون با ددوکیل سولفات افزایش داده و غلظت حالت رسانا را کاهش داد. اندازه گیری های کشش سطحی تأئید کردند که Trien فعالیت سطحی چگالی جذب سطحی را در محلول های Cu (II) SDS Ni (II), SDS- بهبود بخشیده است. تغییر کلی انرژی آزاد گیبس برای جذب سطحی ساحل از کمپلک سیون برای مس و سیکل  -3.6 و -3.JKg/Mol بود و گمان می رود که شامل اثرات فعل و انفعالات هیدروفوبیک بین کمپلکس دی فلز - Trien   در حد فاصل بخار/ محلول همراه با تغییرات میزان و هیدرواسیون مربوط به جذب سطحی مشترک کمپلکس فلز- Trien   با Ds- در حد فاصل هوا/ محلول باشد.
....

بخشی از فهرست مطالب مقاله اثر اتیلن تتراسین (Trien) روی فلوتاسیون یون Ni2+, Cu2+

چکیده
1- مقدمه:
2- مواد و روش ها
2-1- مواد
2-2- اندازه گیری کشش سطحی
3-2- فلوتاسیون یون
4-2- آنالیز یون فلز
3- نتایج و بحث
1-3- تست های گزینش یون فلز
2-3- فلوتاسیون یون و کشش سطحی
خلاصه:

دانلود مقاله کامل درباره یون گیری واکنشی 65 ص

اختصاصی از فایلکو دانلود مقاله کامل درباره یون گیری واکنشی 65 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 98

مقدمه :

یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر

سخنران: Herbert H.Sawin

پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار: July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست

ارزیابی های سمینار

معرفی سمینار

طرح کلی سمینار

شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین

زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان

روند کار و نوع سمینار

اطلاعات برای ذخیره جا در هتل

اطلاعات ثبت نام

آموزش در سایت

یادداشتهای نمونه سمینار

مقالات اخیر ساوین

تماس ها برای سوالات

ثبت نام در وب سایت

اطلاعات ناحیة بوستون

سوابق آقای ساوین

1-معرفی

فیزیک پلاسما

فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

مدل سیفتیک گازی

مدل توزیع ماکسول- بولتزمن

مدل گازی ساده شده

محتوای انرژی

نرخ برخورد بین مولکولها

مسیر آزاد

سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح

فشار گازی

خواص انتقال

جریان گاز

وضعیت سیال

رسانایی رساناها

احتمال برخورد

پراکندگی گاز- گار

پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت

انتشار ارتجاعی

برخورد غیر ارتجاعی

نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی

عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

توزیع انرژی الکترونی

سینتیک همگونی پلاسما

مدل توزیع (مارجینوا)

مدل توزیع (دروی وشتاین)

انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی

سینتیک گاز رقیق شده

شکافت انتشار دو قطبی