فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق درمورد نانو تیوب

اختصاصی از فایلکو تحقیق درمورد نانو تیوب دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 14

 

نانولوله های کربنی

و

کاربردهایشان

Nanotube & Applications

 

 

گردآوری:کبری قنبرپور

یک روبات کوچک به اندازه یک گلوبول قرمز به بدن فرد بیمارتزریق می شود تا سلول های سرطانی را که در ناحیه ای حساس ازمغز او قرار گرفته، نابود کند.گلوله های ریز ودرشت به سوی سرباز شلیک می شود، اما او همچنان به پیشروی خود ادامه میدهد. اولباسی ضد گلوله به تن داردکه از یونیفرم نظامی اش هم سبک تر است…

نه اشتباه نکنید،اینها طرحهای داستان آسیموف نیستند، بلکه تصویر های روشن از جهان آینده،جهان فناوری نانو هستند.

گسترش فناوری نانو در سالهای اخیر از چنان سرعتی برخوردار بوده که شکی باقی نمی گذارد که جهان آینده در سیطره قدرت برتر قرن نانوتکنولوژی خواهد بود.آنچه دارد اتفاق می افتد بی شباهت به یک کودتا نیست.

سربازان نانو به سرعت مراکز مهم دانش بشری را به تسخیر خود در می آورندو ژنرالهای دست نشانده خود را حاکم میکنند.پیروزی نانو از هم اکنون آغاز شده است.

 نانو یک پیشوند یونانی به معنای یک میلیاردم متر چیزی در حدود چند برابر قطر اتم است نانو تکنولوژی تولید ساختار هایی در مقیاس نانو (10به توان9 متر( است. این ساختار ها توانایی کنترل خواص ذاتی مواد ،مثل دمای ذوب،خواص مغناطیسی وحتی رنگ ماده را فراهم می آورند.دنیای نانوسرزمین عجایب است.

 نیروهای معمولی جهان دردنیای ظاهراکوچک اما فوق العاده گسترده نانو اثری ندارد.برای مثال در محدوده ی اتم ها،نیروی جاذبه هیچ نقشی نمی تواند داشته باشد واز آنجا که این ساختار ها تقریبا فاقد جرم هستند،نیروی اینرسی نیز کاملا خنثی شده است.در این قلمرو،اتم ها وذرات،رفتاری غیر متعارف از خود به نمایش می گذارندواز آنجا که اساسا طبیعت از همین ذرات تشکیل شده است،شناخت نحوه عمل آنها،به یک معنا شناخت بهتر نحوه ی شکل گیری و کارکرد جهان است.

ایده ساخت اجرام در ابعاد نانو برای اولین بار توسط یک فیزیکدان به نام ریچاردفاینمن ارایه شد.او در سال 1959در انیستیتو تکنولوژی کالیفرنیا نشان داد که اصول ومبانی فیزیک،امکان ساخت اتم به اتم اجرام را رد نمی کرد.

اوگفت میتوان بااستفاده از ماشین های کوچک،ماشین هایی به مراتب کو چکتر ساخت وسپس این کاهش را تا سطح خود اتم ادامه داد.

تحقیق در قلمرو نانوتکنولوژی از اواخردهه1950آغاز شدو در دهه 1990 نخستین نتایج چشمگیرآن،خود را به رخ کشید.یک گروه از محققان شرکت آی بی ام موفق شدند35 اتم گزنون را به روی یک صفحه از جنس نیکل درج کنند. این اولین نگارش در دنیای نانو بود.

نوشتن در جهان نانو اندکی با جهان معمول متفاوت است. حدود250 میلیون حرف نانو متری را که معادل300کتاب300 صفحه ای،میتوان بر روی سطح مقطع یک موی انسان نوشت.

محققان دیگری به بررسی درباره ساختارهای ریز موجود در طبیعت نظیر تار عنکبوتها ورشته های ابریشم پرداختند.تا بتوانند موادی نازک ترومقاوم تر تولید کنند.

تاریخچه اکتشاف

تا به امروز با دو نمونه از کربن خالص به خوبی آشنا بودیم: گرافیت و الماس که از نظر ظاهر و خواص کاملا با هم متفاوتند اما می دانیم که هر دوی آنها فقط و فقط از اتم های کربن تشکیل شده اند و تفاوت آنها مربوط به شیوه آرایش اتمهای کربن در آنها.در الماس هر اتم با سه اتم مجاور خود پیوند دارد و یک شبکه مستحکم سه بعدی به وجود می آورند که امکان عبور نور از خلال آن وجود دارد به همین علت الماس شفاف است و بسیار سخت.اما در گرافیت اتمها به صورت ورقه ورقه تشکیل می شوند و روی هم قرار میگیرند که پیوند بین این ورقه ها چندان قوی نیست به همین دلیل گرافیت نرم و شکننده است و به این دلیل که این ورقه ها به صورت بی نظم کنار هم قرار گرفته اند،گرافیت کدر است.تاحدود پانزده سال پیش الماس و گرافیت تنها ساختار های مولکولی شناخته شده از کربن خالص بودند.

اما باید گفت که با استفاده از نانو فن آوری ،اتمهای کربن می توانند به گونه های کاملا متفاوتی آرایش یابند و مواد بی نظیری با خواص باورنکردنی پدید آورند.در سال 1985 با کشف کورتو (korto) و همکارانش، فیزیکدان ها ، شیمیدان ومهندسین مواد با مولکول جدیدی از اتم های کربن که بعدا فلورین نام گرفت آشنا شدند.

آنها شکل جدیدی از کربن را یافته اند که به گمان آنها به شکل توپ فوتبال است.امروز این گمان به یقین تبدیل شده وراهی تازه در ساخت ریزمحصولات گشوده شده است.

این سه شیمیدان به نامهای هارولد کروتو از دانشگاهی در انگلیس، رابرت کرل و ریچاردسمیلی از دانشگاه رایس هوستون به خاطر پزوهشهای کاربردی خود،جایزه نوبل شیمی دریافت کردند.

آنچه مورد توجه ما در اینجاست مولکول دیگری است که از کشیدن و بسط یک فلورین کروی حول یک محور آن حاصل می شود.این مولکول را نانولوله(nanotube) می نامند که در سال 1991 توسط ای جی ما (Iijima) در آزمایشگاه مرکزی شهر NEC کشف شد.

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درمورد نانو تیوب

تحقیق درباره مدلسازی و آنالیز خواص مکانیکی نانولوله‌های کربنی

اختصاصی از فایلکو تحقیق درباره مدلسازی و آنالیز خواص مکانیکی نانولوله‌های کربنی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق درباره مدلسازی و آنالیز خواص مکانیکی نانولوله‌های کربنی


تحقیق درباره مدلسازی و آنالیز خواص مکانیکی نانولوله‌های کربنی

فرمت فایل :word (قابل ویرایش) تعداد صفحات34صفحه

 

 

 

 

 

 

شکل 2-10: توضیح بردار لوله کردن نانو لوله، بصورت ترکیب خطی  از  بردارهای پایه b , a 23

شکل2-11: نمونه های نانولوله های صندلی راحتی، زیگزاگ و کایرال و انتها بسته آنها که مرتبط است با تنوع فلورنها 24

شکل 2-12: تصویر سطح مقطع یک نانو لوله 25

شکل 2-13: مراحل  آزاد سازی نانو لوله کربن 33

شکل 2-14 : مراحل کمانش و تبدیل پیوندها در یک نانو لوله تحت بار فشاری 36

شکل 2-15: نحوه ایجاد و رشد نقایص تحت بار کششی  الف: جریان پلاستیک، ب: شکست ترد (در اثر ایجاد نقایص پنج و هفت ضلعی) ج: گردنی شدن نانو لوله در اثر اعمال بار کششی 38

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره مدلسازی و آنالیز خواص مکانیکی نانولوله‌های کربنی

دانلود تحقیق خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ

اختصاصی از فایلکو دانلود تحقیق خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود تحقیق خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ


دانلود تحقیق خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ

چکیده:
پس از کشف نانولوله های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی  را در شرایط دمایی و میدان های مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است،  انتخاب نانولوله ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. نتایج بررسی ها نشان می دهد تحرک پذیری الکترون در نانولوله های کربنی متفاوت به ازای  میدان های مختلفی که در طول نانولوله ها اعمال شود، مقدار بیشینه ای را خواهد گرفت. بنا بر این در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصه های هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و دررو آن اعمال  می شود باید  نانولوله ای را انتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی  داشته باشد.
واژه های کلیدی
نانولوله ی کربنی،  ترانزیستور اثر میدانی، مدل ثابت نیرو ،  تحرک پذیری الکترون






فهرست مطالب

مقدمه    1
فصل اول    3
مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن    3
1-1 مقدمه    3
1-2 گونه های مختلف کربن در طبیعت    4
1-2-1 کربن بیشکل    4
1-2-2 الماس    4
1-2-3  گرافیت    5
1-2-4 فلورن و نانو لولههای کربنی    5
1-3 ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید - نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی    8
فصل 2    11
بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی    11
2-1 مقدمه    11
2-2 ساختار الکترونی کربن    12
2-2-1 اربیتال p2 کربن    12
2-2-2 روش وردشی    13
2-2-3 هیبریداسون اربیتالهای کربن    15
2-3 ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی    19
2-3-1 ساختار هندسی گرافیت    19
2-3-2 ساختار هندسی نانولولههای کربنی    22
2-4 یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی    26
2-4-1 یاختهی واحد صفحهی گرافیت    26
2-4-2 یاخته واحد نانولولهی کربنی    27
2-5 محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی    29
2-5-1 مولکولهای محدود    29
2-5-2 ترازهای انرژی گرافیت    31
2-5-3 ترازهای انرژی نانولولهی کربنی    33
2-5-4 چگالی حالات در نانولولهی کربنی    37
2-6 نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی    38
2-6-1 مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت    39
2-6-2 رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی    46
فصل 3    48
پراکندگی الکترون فونون    48
3-1 مقدمه    48
3-2 تابع توزیع الکترون    49
3-3 محاسبه نرخ پراکندگی کل    53
3-4 شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون    56
3-6 ضرورت تعریف روال واگرد    59
فصل 4    62
بحث و نتیجه گیری    62
4-1 مقدمه    62
4-2 نرخ پراکندگی    62
4-3 تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی    64
4-4 بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون    66
4-4-1 بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا    66
4-4-2 بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا    68
4-4-3 بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا    68
4-4-3 بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا    69
نتیجه گیری    71
پیشنهادات    72
ضمیمهی (الف) توضیح روال واگرد.    73
منابع    75
چکیده انگلیسی    78




فهرست شکل¬ها

 شکل1-1. گونه¬های مختلف کربن    6
شکل 1-2. ترانزیستور اثر میدانی    9
شکل 1-3. ترانزیستور نانولوله¬ی کربنی    10
شکل 2-1. اربیتال      15
شکل 2-2. هیبرید      17
شکل 2-3. ساختار      18
شکل 2-4. شبکه گرافیت    21
شکل 2-5. یاخته¬ی واحد گرافیت    21
شکل2-6. یاخته¬ی واحدنانولوله¬ی کربنی    23
شکل 2-7. گونه¬های متفاوت نانولوله¬های کربنی    25
شکل 2- 8. تبهگنی خطوط مجاز در نانولوله¬ی کربنی    36
شکل 2-9. مؤلفه¬های ماتریس ثابت نیرو    43







فهرست جدول¬ها

عنوان        صفحه
 جدول 2-1 عناصر ماتریس ثابت نیرو    43

 
فهرست نمودارها


عنوان    صفحه

نمودار 2-1. نوار انرژی الکترونی گرافیت    33
نمودار 2-2. نوار انرژی الکترونی نانولوله¬ی کربنی    36
نمودار 2-3. چگالی حالات در نانولوله¬ی کربنی    38
نمودار 2-4. نوار سه بعدی انرژی فونونی گرافیت    45
نمودار 2-5. نوار انرژی فونونی در راستای خطوط متقارن منطقه اول بریلوئن    45
نمودار 2-6. نوار انرژی فونونی نانولوله¬ی کربنی    47
نمودار 3-1. سطح فرمی در نانولوه¬های کربنی    54
نمودار 3-2. منطقه¬ی تکرار شونده در نانولوله¬های کربنی    60
نمودار 3-3. نقاط متقارن در مسئله پراکندگی    61
نمودار 4-1.  نرخ پراکندگی در دو نانولوله¬ی زیگزاگ   و      63
نمودار 4-2. وابستگی دمایی نرخ پراکندگی    63
نمودار4-3. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی   نانولوله¬ی      64
نمودار4-4. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی   نانولوله¬ی     65
نمودار 4-5.  وابستگی سرعت میانگین الکترون به دما در نانولوله¬ی کربنی    67
نمودار 4-6.  توزیع سرعت در نانولوله¬های زیگزاگ    67
نمودار 4-7. نمودار جریان – ولتاژ در مورد نانولوله¬های زیگزاگ    68
نمودار 4-8. مقاومت نانولوله¬های مختلف ¬    69
فهرست پیوست¬ها

عنوان     صفحه

پیوست الف: توضیح روال واگرد    73




شامل 84 صفحه Word


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ

تحقیق درباره بررسی نانولوله کربنی

اختصاصی از فایلکو تحقیق درباره بررسی نانولوله کربنی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق درباره بررسی نانولوله کربنی


تحقیق درباره بررسی نانولوله کربنی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه8

بخشی از فهرست مطالب

لوله های نانوکربنی در شیمی

ابر نانو لوله های کربنی

نانولوله‌های کربنی‌ که از صفحات کربن به ضخامت یک اتم و به شکل استوانه‌ای توخالی ساخته شده‌است در سال ۱۹۹۱ توسط سامیو ایجیما (از شرکت NEC ژاپن) کشف شد.

خواص ویژه و منحصر به فرد آن از جمله مدول یانگ بالا و استحکام کششی خوب از یک طرف و طبیعت کربنی بودن نانولوله‌ها (به خاطر این که کربن ماده‌ای است کم وزن، بسیار پایدار و ساده جهت انجام فرایندها که نسبت به فلزات برای تولید ارزان‌تر می‌باشد) باعث شده که در دهه گذشته شاهد تحقیقات مهمی در کارایی و پرباری روش‌های رشد نانولوله‌ها باشد. کارهای نظری و عملی زیادی نیز بر روی ساختار اتمی و ساختارهای الکترونی نانولوله متمرکز شده‌است. کوشش‌های گسترده‌ای نیز برای رسیدگی به خواص مکانیکی شامل مدول یانگ و استحکام کششی و ساز وکار عیوب و اثر تغییر شکل نانولوله‌ها بر خواص الکتریکی صورت گرفته‌است. می‌توان گفت این علاقه ویژه به نانولوله‌ها از ساختار و ویژگی‌های بی‌نظیر آن‌ها سرچشمه می‌گیرد.

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره بررسی نانولوله کربنی

دانلود تحقیق بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

اختصاصی از فایلکو دانلود تحقیق بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 دانلود تحقیق بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی


 دانلود تحقیق بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

شرح مختصر : با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده¬ای بالا رفته است. گوردن مور  معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965  نظریه¬ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می¬رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود . این کوچک شدگی نگرانی¬هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می¬کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه¬ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو  معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله¬های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده¬اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی پرداخته¬ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله¬های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه¬های نسل آینده را خواهند گرفت

 

سرفصل :

مقدمه

مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن

مقدمه

گونه های مختلف کربن در طبیعت

کربن بیشکل

الماس

گرافیت

فلورن و نانو لولههای کربنی

ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید  نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی

ساختار الکترونی کربن

اربیتال p کربن

روش وردشی

هیبریداسون اربیتالهای کربن

ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی

ساختار هندسی گرافیت

ساختار هندسی نانولولههای کربنی

یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی

یاختهی واحد صفحهی گرافیت

یاخته واحد نانولولهی کربنی

محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی

مولکولهای محدود

ترازهای انرژی گرافیت

ترازهای انرژی نانولولهی کربنی

چگالی حالات در نانولولهی کربنی

نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی

مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت

رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی

پراکندگی الکترون فونون

تابع توزیع الکترون

محاسبه نرخ پراکندگی کل

شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون

ضرورت تعریف روال واگرد

بحث و نتیجه گیری

نرخ پراکندگی

تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی

بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون

بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

نتیجه گیری

پیشنهادات

ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.

منابع

چکیده انگلیسی


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی