فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید

اختصاصی از فایلکو دانلود ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید


دانلود ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید

 

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از اسلاید پاورپوینت : 

 

تعداد اسلاید : 29 صفحه

ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی)BJT) فصل چهارم P N P E B C امیترE بیسB Cکلکتور N P N امیترE بیسB Cکلکتور E B C *زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد P N P RE VCC R VEE E2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کند E1 برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2 بایاس مستقیم بایاس معکوس P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت میزان حفره تزریقی امیتر IPE جریان امیتر و IE ضریب تزریقی امیترγ = IPE IE مولفه های جریانی ترانزیستور در ناحیه فعال: مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC =ضریب گذردهی بیس IPC IPE جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های ، به می آیند Inco C C BC جریان حامل های اقلیت دیود خاموش Ipco * IPC IE = IPC IPE IPE IE = × α*λ=α IC =αIE + Ico IC = IS e VBE τVT کنترل می شودVBE توسط ولتاژ و در نتیجه افزایش قدرت پرتاب گری می شود C و B تنها منجر به افزایش عرض ناحیه تخلیه بین VCB افزایش که در حقیقت تامین کننده جریان حفره ای است بنابراین VBE توسطIC جریان IC≈ IE ازآنجا که می توان از رابطه زیر استفاده کرد: IC برای محاسبه IC = IS e VBE τVT افزایش می دهدμA در حد ICO تاثیری ندارد و تنها IPC اما روی جریان P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت 2)حل مساله و محاسبه مجهولات با استفاده از اطلاعات بدیهی قبل از حل مساله جریان ها را نامگذاری کنید * IC IE IB IC IE IB 3)چک کردن صحت فرض با استفاده از مجهول های محاسبه شده 1) حدس اولیه ناحیه کار ترانزیستور مساله : DCتحلیل گام های نواحی کار : 1) خطی _ فعال (تقویت کننده): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VBE7/ 0 = IC =IE + Ic و IC =αIE و IC =βIB *مجهولات : VCE یا VCB و IC یا IE * حالت های دیودها : 2) اشباع(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VCE7/ 0 = VBC7/ 0 = VBE8/ 0 = IC =IE + Ic IC یا IE * مجهولات: 3) خاموشی ترانزیستور(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: IC یا IE 0≈ *مجهو

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  • هدف فروشگاه پاورپوینت کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 



دانلود فایل  پرداخت آنلاین 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید

پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی

اختصاصی از فایلکو پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی


پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی

لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"

فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداداسلاید:29

) حدس اولیه ناحیه کار ترانزیستور

قبل از حل مساله جریان ها را نامگذاری کنید

3)چک کردن صحت فرض با استفاده از مجهول های محاسبه شده


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی

پذیریش بیماری دوقطبی

اختصاصی از فایلکو پذیریش بیماری دوقطبی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پذیریش بیماری دوقطبی


پذیریش بیماری دوقطبی

     

در این پنج سالی که به بیماران دوقطبی مشاوره میدادم متوجه یک وجه مشترک منفی در تمام بیماران دوقطبی شدم. اکثر عزیزان با پذیرش بیماری دوقطبی شون مشکل داشتن و شاید یه جوری احساس حقارت می کردن و از اینکه افراد فامیل ، دوستان یا همکاران شون در محیط کار پی به بیماری شون ببرن بسیار هراس داشتن.بعدها فهمیدم این ترس از رسوا شدن بخش اعظمی از انرژی روانی رو تحلیل میبره و عزت نفس بیمار و به طور باور نکردنی مثل خوره می خوره ....


 

 

 

 

این فایل PDF به صورت مصور   با کیفیت عالی در 28 صفحه تهیه شده است


دانلود با لینک مستقیم


پذیریش بیماری دوقطبی

مقاله در مورد آشنایی با دوقطبی های الکتریکی

اختصاصی از فایلکو مقاله در مورد آشنایی با دوقطبی های الکتریکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله در مورد آشنایی با دوقطبی های الکتریکی


مقاله در مورد آشنایی با دوقطبی های الکتریکی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه18

 

بخشی از فهرست مطالب

امواج الکترومغناطیسی

 

عدم وجود تک قطبی مغناطیسی

 

دو قطبی الکتریکی و آنتن‌ها

 

چرا آهن ربای تک قطبی وجود ندارد؟ (تئوری دو قطبی)

 

 

 

مقدمه:

 

پدیده آهنربایی 2500 سال پیش در شهرماگنزیا مشاهده شد. آهنربا دارای دو قطب شمال N و جنوب S است. دو قطب مخالف یا غیرهمنام یکدیگر را جذب و دو قطب مشابه یا همنام یکدیگر را دفع می کنند عقربه قطب نما به این دلیل رو به شمال می ایستد که زمین شبیه یک آهنربا عمل می کند بطوریکه قطب شمال جغرافیایی زمین به قطب جنوب مغناطیسی آن بسیار نزدیک است.محور مغناطیسی زمین کاملا موازی محور جغرافیایی(محور چرخش) آن نیست لذا عقربه قطب نما از امتداد (شمال-جنوب) جغرافیایی انحرافی دارد که از نقطه ای به نقطه ای دیگر تغییر می کند و زاویه انحراف مغناطیسی نامیده می شود. همچنین امتداد شمال-جنوب مغناطیسی افقی نیست و با سطح افق زاویه ای می سازد که آن را زاویه میل مغناطیسی می نامند.

 

قطب های مغناطیسی همواره به صورت جفت ظاهر می شوند.

 

در سال 1819 هانس کریستین اورستد دانشمند دانمارکی کشف کرد که وقتی عقربه قطب نما در مجاور سیم حامل جریان قرار می گیرد منحرف می شود. تحقیقات مشابه توسط آندره آمپر در فرانسه صورت گرفت و چند سال بعد مایکل فاراد در انگلستان و جوزف هانری در امریکا کشف کرد که حرکت دادن آهنربا در مجاور یک حاقه رسانا باعث پیدایش جریان الکتریکی در حلقه می شود و نیز عبور جریان الکتریکی متغیر از یک حلقه باعث پیدایش جریان الکتریکی در حلقه دیگر می شود که در مجاورت حلقه اول قرار دارد اینها نخستسن ارتباط میان جریان الکتریکی و میدان مغناطیسی را نشان داد که منجر به معادلات ماکسول شد که همچون معادلات نیوتن در مکانیک اصول قوانین الکترومغناطیسی بشمار می آیند.

 

زمانی که بار مثبت نقطه ای با سرعت V از محلی شروع به حرکت می کند در صورتی که نیروی منحرف کننده F بر آن اثر کند در اطراف بار القای مغناطیسی B وجود دارد که مقدار آن از رابطه :

 

F=qV×B یا F=qVBsinq

 

به دست می آید که در آن q  زاویه بین V و B است.

 

میدان مغناطیسی را با خطوطی فرضی بنام خطوط القا نمایش می دهیم به طوری که در هر نقطه امتداد B بر خطوط القا مماس است و مقدار مطلق بردار B در هر نقطه با تعداد خطوط القایی که از واحد سطح عمود بر امتداد این خطوط عبور می کنند متناسب است. کل خطوط القا که از یک سطح دلخواه عبور می کند شار مغناطیسی نامیده می شود.

 

 

 

اگر B یکنواخت باشد:

 

 

 

که a  زاویه بین خط عمود بر سطح با امتداد B است.

 

بنابر قانون فارادی، تغییر شار F باعث ایجاد جریان القایی می شود این تغییر شار را می توان یک مغناطیس یا یک مدار بسته حامل جریان بوجود آورد.

 

نیروی محرکه القایی e در یک مدار با تغییر شار مغناطیسی متناسب است:

 

 

 

بر طبق قانون لنز جهت جریان القایی بگونه ای است که همواره بوسیله آثار الکترومغناطیسی که ایجاد می کند با عامل به وجودآورنده جریان مخالفت می کند. در واقع جهت جریان القایی بگونه ای است که با شار مغناطیسی که به وجود می آورد، تغییر شار مغناطیسی تولید کننده خودش را خنثی می کند.

 

علامت منفی در رابطه بالا به دلیل قانون لنز ظاهر می شود.

 

به منظور ایجاد جریان القایی باید F  یا B  یا s و یا a تغییر کند.

 

علاوه بر بردار القایی B که نیروی میدان مغناطیس بر بار متحرک را مشخص می کند بردار دیگری به نام بردار شدت میدان مغناطیسی به شکل زیر تعریف می شود.

 


دانلود با لینک مستقیم


مقاله در مورد آشنایی با دوقطبی های الکتریکی