عنصر اساسی در توانایی ما برای مشاهده، ساخت، و در بعضی موارد به‌کاراندازی دستگاههای بسیار کوچک فراهم بودن پرتوهای ذره‌ای بسیار متمرکز، مشخصا" از فوتون‌ها، الکترون‌ها و یون‌ها می‌باشد.
قانون عمومی حاکم بر اثر ذرات برخوردی، بیان می‌دارد که چنانچه تمایل به تمرکز یک پرتو از ذرات به یک نقطه با اندازه مشخص داشته باشیم، طول موج وابسته به ذرات برخوردی باید کوچک‌تر از اندازه قطر نقطه مورد نظر باشد. روابط حاکم بر انرژی و بالطبع طول موج این ذرات بیان کننده آن است که اتم‌ها و بالطبع یون‌ها مناسب ترین کاندیداها برای این آزمایشات می‌باشند
مشخصات پرتوهای مورد نیاز فن‌آوری نانویی
با توجه به کاربردهای متعدد به‌کارگیری یون‌ها در لایه گذاری در نانوتکنولوژی به طور مثال در ایجاد مقاومت‌های دقیق در تولید IC (نظیر مقاومت‌های کوچک‌تر از 100Wcm-2)، در کاربرد نیمه‌هادی‌های با فاصله انرژی پهن در الکترونیک قدرت و دمای بالا (نظیر آمورف کردن GaN به وسیله یون‌های Ar و C و Au)، در اصلاح سطوح پلیمری، درکنترل دقیق مقدار دز در لایه نشانی نسبی (ratio deposition) و ایجاد اتصال‌های بسیار کم عمق، (ultra shallow junction) می‌توان امید انقلابی نوین در نانوتکنولوژی را در صورت فراهم سازی پرتوهای یونی با قابلیت‌های کنترل شوندگی، پراکندگی کم و تابندگی بالا را داشت. مشخصات مورد نیاز نانوتکنولوژی درخصوص استفاده از پرتوهای یونی در جدول 2 خلاصه شده است.
تعداد صفحات: 26
با فرمت ورد و با قابلیت ویرایش
دانلود تحقیق بررسی ایجاد پرتوهای یونی سرد برای نانوتکنولوژی
