دانلود مقاله کامل درباره آشنایی با حافظه RAM

اختصاصی از فایلکو دانلود مقاله کامل درباره آشنایی با حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :16

بخشی از متن مقاله

حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه هایRAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه هایSAM اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ).اماداده های ذخیره شده در حافظهRAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه هایRAM

حافظه RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC) بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود بر روی تراشه حافظه را بهمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید. خازن مشابه یک ظرف ( سطل) بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بهمنظور ذخیره سازی مقدار" یک" در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین بهمنظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بهمنظور نگهداری مقدار "یک" باشند. بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاریDRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه بر روی یک تراشه سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه هایDRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندنSense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد. تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

سلول های حافظه در صورتیکه از روش هائی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در سلول ها استفاده ننمایند، بهتنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است سلول های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر باشند.مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد :

• مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون )
• نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده ها ( شمارنده )
• خواندن و برگرداندن سیگنال از یک سلول (Sense amplifier)
• اعلام خبر به یک سلول که می بایست شارژ گردد یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد ( Writeenable)

سایر عملیات مربوط به "کنترل کننده حافظه" شامل مواردی نظیر : مشخص نمودن نوع سرعت ، میزان حافظه و بررسی خطاء است .

حافظه هایSRAM دارای یک تکنولوژی کاملا" متفاوت می باشند. در این نوع از حافظه ها از فلیپ فلاپ برای ذخیره سازی هر بیت حافظه استفاده می گردد. یک فلیپ فلاپ برای یک سلول حافظه، از چهار تا شش ترانزیستور استفاده می کند . حافظه هایSRAM نیازمند بازخوانی / بازنویسی اطلاعات نخواهند بود، بنابراین سرعت این نوع از حافظه ها بهمراتب از حافظه هایDRAM بیشتر است .با توجه به اینکه حافظه هایSRAM از بخش های متعددی تشکیل می گردد، فضای استفاده شده آنها بر روی یک تراشه بهمراتب بیشتر از یک سلول حافظه از نوعDRAM خواهد بود. در چنین مواردی میزان حافظه بر روی یک تراشه کاهش پیدا کرده و همین امر می تواند باعث افزایش قیمت این نوع از حافظه ها گردد. بنابراین حافظه های SRAM سریع و گران و حافظه هایDRAM ارزان و کند می باشند . با توجه به موضوع فوق ، از حافظه هایSRAM بهمنظور افزایش سرعت پردازنده ( استفاده ازCache) و از حافظه هایDRAM برای فضای حافظهRAM در کامپیوتر استفاده می گردد.

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

دانلود فایل 

تحقیق در مورد RAM

اختصاصی از فایلکو تحقیق در مورد RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه11

 از تعدادی خانه یا سلول تشکیل شده است و هر خانه، قابلیت نگهداری یک داده را دارد و با آدرسی منحصر به فرد مشخص می شود. آدرس اولین خانه حافظه، صفر است و آدرس هر خانه، یک واحد از خانه‌ی قبلی اش بیشتر است، هر آدرس حافظه، قابلیت نگهداری یک یا چند بایت را دارا است.
داده های موجود در RAM قابل پاک شدن و جایگزینی با داده های دیگر هستند و هر نوع وقفه ای در جریان برق کامپیوتر، موجب از بین رفتن داده های موجود در RAM می شود. استفاده از این نوع حافظه‌ها، برای نگهداری موقت اطلاعات تا زمان پردازش یا انتقال نتایج به بیرون از کامپیوتر و یا ذخیره در حافظه های جانبی است.
از آنجا که داده ها می توانند در هر قسمت از حافظه‌ی RAM ذخیره شده و از آن قسمت بازیابی شوند و چون سرعت انجام این کار به محل داده ها بستگی ندارد به این نوع حافظه ها، حافظه با دسترسی تصادفی می گویند.
داده های مورد نیاز پردازنده ابتدا وارد RAM شده و بعد پردازش می شوند.
به RAM، حافظه‌ خواندنی و نوشتنی (RWM) هم میگویند.
از نظر تکنولوژی ساخت، دو نوع RAM وجود دارد :

1. RAM پویا (DRAM)
2. RAM ایستا (SRAM)

DRAM نسبت به SRAM دارای سرعت دسترسی پایین‌تر و هزینه‌ی ساخت کمتر است و در این نوع حافظه اطلاعات باید به طور مرتب تجدید شوند وگرنه از بین خواهند رفت (البته این کار به صورت خودکار توسط رایانه صورت می گیرد). تمام حافظه های RAM موجود در کامپیوتر از نوع DRAM هستند. از SRAM در ساخت حافظه‌های پنهان استفاده می شود.
تمام اطلاعات، برای پردازش ابتدا وارد این قطعه می شوند زیرا سرعت دسترسی به اطلاعات در این قطعه توسط سی‌پی‌یو، بسیار سریع‌تر انجام می‌گیرد.

از حافظه های DDR & SD-RAM که مخفف Double-Data-Rate & Synchronous Dynamic Random Access Memoryو هم اکنون بسیار استفاده می شوند .حافظه های با سرعت بالاتر DDR2 و DDR3 هم در دسترس می باشد.یک ماژول حافظه DDR دارای 184 پین و یک شکاف در بین آن می باشد .حافظه های DDR نسبت به حافظه های SD-RAM قدیمی تر پهنای باند بیشتری را در اختیار سیستم می گذارند .

حافظه‌ای است که به صورت تعدادی IC درون سوکت‌هایی روی مادربرد قرار می‌گیرد. RAMها انواع مختلفی دارند که بسته به نوع سیستم از آنها استفاده می‌شود. در تمام انواع RAM سرعت برحسب نانو ثانیه است که نشانگر زمان مورد نظر جهت خواندن اطلاعات می‌باشد. هرچه این عدد کمتر باشد، سرعت بیشتر است. تعداد پین‌های RAMها متفاوت است که بر همین اساس روش‌های مختلفی برای قراردادن آنها در Slotها وجود دارد. RAMهای 30 پین را SIMM (ICها فقط در یک سمت برد قرار دارد) و RAMهای 72 پین را DIMM (در هر دو طرف برد IC وجود دارد) می‌نامند که هر دو به صورت 45 درجه جاگذاری می‌شوند. به دو شکل زیر دقت کنید.

RAMهای 168 پین هم وجود دارند که       SDRAM نامیده می‌شوند و مختص کامپیوترهای پنتیوم هستند که به صورت عمودی در Slot جا می‌خورند.

انواع RAM از نظر نوعی که روی مادربرد قرار می‌گیرند.

1ـ FPM: در کامپیوترهای 8086 استفاده می‌شد که سرعتش بین 60 تا70 نانوثانیه(ns) ، Bus آن 33 مگاهرتز و دارای 30 پین است.

2ـ EDO : در کامپیوترهای 486 و پنتیوم I استفاده می‌شود و از نوع DIMM است ؛ یعنی دارای 72 پین، سرعت بین 50 تا 60 نانوثانیه و Bus آن 66 مگاهرتز است که بازدهی این       RAMها نسبت به FPM ؛2 تا 5 درصد بهتر است.

3ـ ECC : این RAM هم از نوع DIMM است و در III وII و Pentium I استفاده می‌شود که دارای قابلیت تصحیح خطا می‌باشد. سرعت ECC  بین 40 تا 60 نانوثانیه و دارای Bus 66 مگاهرتز است.

دانلود مقاله Ram

اختصاصی از فایلکو دانلود مقاله Ram دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده:
این پروژه، درباره حافظه کامپیوتر است و نوع حافظه‌ی موردنظر، Ram می‌باشد.
چگونگی نصب و انواع حافظه را معرفی کند، همراه با ویژگی‌های هر کدام که علاقه‌مندان با خواندن این پروژه، قادر خواهند بود نوع Ram سیستم خود را انتخاب و خریداری کنند.
امید است که این پروژه بتواند شما را در شناخت و انتخاب Ram یاری نمایند.

مقدمه

با توجه به گسترش روزافزون کاربرد رایانه در ایران و نیاز به وجود مرجعی برای دسترسی به اطلاعات این علم. بر این شدم که در مورد Ram کامپیوتر، که اصلی‌ترین قطعه کامپیوتر و حافظه‌ی کامپیوتر است، تحقیق کنم تا درباره این قطعه، اطلاعاتی بدست آورم.
این قطعه، قسمتی از کامپیوتر است که بدون آن، کامپیوتر معنایی ندارد. پس ابتدا باید این قطعه را شناخت تا بتوان به چگونگی و عملکرد کامپیوتر پی برد.
بر این اساس، این پروژه به خصوصیات زیر می‌پردازد:
1. انواع حافظه
2. آموزش چگونگی خرید و عیب‌یابی
3. دارای راهنمای خریدار است که با آن می‌توان به راحتی به خرید رایانه پرداخت و قطعات اصلی را از تقلبی تشخیص داد.

حافظه
حافظه سیستم، مکانی است که در آنجا کامپیوتر برنامه‌های جاری و داده‌های مورد استفاده را نگهداری می‌نماید و به دلیل قدرتمند شدن دائمی نرم‌افزارها، حافظه سیستم با گام‌های پرشتاب، رو به افزایش است. ذخیره و بازیابی داده‌ها از یک بلوک بزرگ حافظه زمان بسیار بیشتری را نسبت به یک بلوک کوچک می‌طلبد. با یک حجم وسیعی از فضای حافظه اصلی بسیار زیاد می‌باشد و این امر، منجر به ایجاد لایه‌های اضافی کاشه در سلسله مراتب حافظه می‌گردد.
هنگامی که بحث سرعت دسترسی به حافظه مطرح می‌شود، همواره یک شکاف رو به افزایش بین پردازنده‌ها و تراشه‌های حافظه وجود دارد. این بدان معناست که پردازنده‌ها دائماً با زمان انتظار بیشتر برای خواندن و نوشتن داده‌ها روی حافظه اصلی مواجه هستند. یک راه حل، استفاده از حافظه کاشه بین حافظه اصلی و پردازنده و نیز استفاده از سیستم‌های الکترونیکی هوشمندتر برای تضمین این که ملزومات داده‌ای پردازنده از قبل در حافظه کاشه قرار می‌گیرد.

کاشه سطح 1
حافظه کاشه سطح 1 یا حافظه کاشه اصلی، روی CPU کامپیوتر قرار داشته و برای ذخیره موقتی، دستورالعمل‌ها و داده‌های سازمان‌دهی شده در بلوک‌های 32 بیتی مورد استفاده قرار می‌گیرد. حافظه کاشه اصلی، سریعترین شکل حافظه است. از آنجایی که این حافظه در داخل خود تراشه ریزپردازنده و با یک مدار ارتباطی با زمان انتظار صفر تعمیر شده است، حجم فیزیکی ذخیره‌سازی داده‌ها روی آن محدود می‌باشد.
حافظه کاشه سطح 1، با استفاده از Ram استاتیکی (SRam) ساخته می‌شود و تا همین اواخر اندازه متعارف آن 16KB بود.
حافظه SRam به ازای هر بیت داده، از دو تراشه سیتور استفاده نموده و بدون نیاز به کمک خارجی تا زمانی که توان الکتریکی مدار تامین شود، داده‌ها را در خود نگهداری می‌کند.
ترانزیستور دوم، خروجی ترانزیستور اول را کنترل می‌کند. این مدار فیلیپ فلاپ نام دارد، زیر دارای دو حالت پایدار است که می‌تواند بین این دو نوسان کند. این نوع حافظه نقطه مقابل Ram دینامیکی (DRam) می‌باشد که می‌بایست در هر ثانیه به منظور نگهداری محتویات داده‌ای خود، چند بار تازه‌سازی (Refresh) گردد.
حافظه SRam با روشی بسیار مشابه به ساخت خود پردازنده‌ها، تولید می‌گردد.
هر بیت حافظه SRam به 4 تا 6 ترانزیستور می‌باشد که به همین دلیل حافظه SRam فضای خیلی بیشتری را می‌گیرد، در صورتی که DRam (دینامیکی) به ازای هر بیت از یک ترانزیستور به اضافه یک خازن استفاده می‌کند.
واحد کنترل حافظه کاشه اصلی، داده‌ها و برنامه‌هایی را که مکرر مورد استفاده قرار می‌گیرند، در حافظه کاشه ذخیره می‌نماید و فقط هنگامی که CPU کنترل جریان داده‌ها را به سایر مدارات کنترل باس می‌سپارد یا در طی دسترسی مستقیم به حافظه بوسیله لوازم جانبی مانند درایوهای فلاپی و کارت‌های صوتی، حافظه خارجی را روزآمد می‌سازد.

کاشه سطح 2
حافظه کاشه سطح 2، نوعاً در دو اندازه 256, 512KB در دسترس بوده و می‌تواند روی مادربورد نصب گردد. هدف حافظه کاشه سطح 2، تامین اطلاعات مورد نیاز پردازنده بدون هر گونه تاخیر می‌باشد. برای این منظور، اینترمین باس پردازنده دارای یک پروتکل انتقال ویژه به نام burstmode می‌باشد. یک سیکل مربوط به burstmode دارای 4 نوع انتقال داده می‌باشد که فقط آدری 64 مورد اول روی باس آدرس قرار می‌گیرد. معمول‌ترین و رایج‌ترین کاشه سطح pipeline burst2 می‌باشد. حافظه کاشه 2 نیز از همان منطق کنترلی مشابه کاشه 1 و در داخل SRam اجرا می‌شود.

حافظه اصلی
در سلسله مراتب حافظه، سطح سوم حافظه اصلی سیستم، Ram می‌باشد. حافظه منبع موقتی نگهداری داده‌ها بوده و محیط حافظه اصلی قابل دسترسی توسط دیسک سخت می‌باشد. این حافظه به عنوان حافظه میانی بین دیسک سخت و پردازنده بکار می‌رود. هرچه داده‌های بیشتری را بتوان در داخل حافظه Ram ذخیره نمود، سرعت اجرای PC افزایش خواهد یافت. حافظه اصلی از طریق باس‌های آدرس و داده به پردازنده منتقل می‌شود. هر باس دارای یک تعداد مدار الکتریکی یا بیت است.
هر مبادله داده بین CPU و حافظه، یک سیکل باس نام دارد. تعداد بیت‌های داده‌ای که یک CPU در طی یک سیکل باس واحد قادر به انتقال می‌باشد، روی عملکرد کامپیوتر تاثیر می‌گذارد. حافظه اصلی از تراشه‌های DRam (دینامیکی) یا زم‌دینامیکی تشکیل می‌شود. [1]

DRam
تراشه‌های DRam آرایه‌های مستطیل شکل بزرگی از سلول‌های حافظه اصلی با مدارهای منطقی پشتیبان هستند که برای خواندن و نوشتن داده‌ها در داخل آرایه‌ها مورد استفاده قرار می‌گیرند. همچنین از یک مدار بازسازی داده‌ها برای حفظ جامعیت داده‌های ذخیره شده استفاده می‌گردد.

FPM DRam
در DRam استاندارد که با زمان دسترسی 60 یا 70 نانوثانیه عرضه می‌شوند، خواندن داده‌ها توسط واحد مدیریت حافظه ابتدا با فعال کردن سطر متناظر از آرایه، سپس فعال کردن ستون مناسب ارزشیابی و انتقال داده‌ها انجام می‌شود. سپس ستون مورد نظر نیز فعال شده که باعث wait state ناخواسته می‌شود که CPU باید منتظر بماند تا حافظه کار انتقال را به پایان برساند.

EDO DRam
در سرعت‌های 50.60.70 نانوثانیه عرضه می‌شود. حافظه‌های EDO DRam نیازی به غیرفعال شدن ستون و خاموش شدن بافر خروجی بیش از آغاز انتقال داده بعدی ندارد و قادر است تا 27% خواندن حافظه را سریعتر از FPU DRam انجام دهد.

BDEO DRam
این نوع تکامل EDO DRam است که در آن، از EDO, FPU استفاده می‌کند و پیش از آنکه کنترلر بتواند داده‌ها را برای آغازگر بفرستد، بایستی منتظر آماده شدن آنها بماند.
BEDO این wait state را برطرف نموده و در نتیجه، عملکرد سیستم را تا 100% نسبت به RFPU و 50% بیشتر از EDO استاندارد بهبود می‌بخشد.

SD Ram
حافظه جدیدتر SDRam (Synchronous) با شیوه متفاوتی نسبت به سایر انواع حافظه کار می‌کند. SDRam از این واقعیت که اکثر دسترسی‌های حافظه PC به صورت متوالی هستند، بهره گرفته و برای واکش (Fetch) تمام بیت‌ها در یک Burst (سیکل انتقال) با بیشترین سرعت ممکن، طراحی شده است.
در SDRam، یک on-chip burst counter به بخش ستون آدرس امکان می‌دهد که با سرعت بسیار زیادی افزایش یابد و این مساله باعث شده افزایش قابل توجهی در سرعت بازیابی اطلاعات در خواندن متوالی می‌گردد. کنترلر حافظه، موقعیت و اندازه بلوک حافظه مورد نیاز را تامین می‌کند و تراشه SDRam بیت‌ها را با بیشترین سرعتی که پردازنده قادر به دریافت آنهاست، تغذیه می‌کند. [ویژگی کلیدی SDRam، مزیت مهمی در مقایسه با سایر انواع حافظه ناهماهنگ (Asy) را به آن می‌دهد. امکان‌پذیر ساختن تحویل داده‌ها به خارج از تراشه با سرعت 100burst مگاهرتز به محض آنکه Burst آغاز می‌شود. تمام بیت‌های باقیمانده از طول BUBT با سرعت 10ns تحویل داده می‌شود. [1]

PC 133 SDRam
این نوع، قادر بود داده‌ها را با سرعت 6/1 گیگا بایت بر ثانیه منتقل می‌نماید، در حالی که نیاز چندانی به ایجاد تغییرات در مهندسی مادربوردها نداشته، هزینه‌های خاصی را بر دوش تراشه‌سازان تحمیل نمی‌کرده و برای تغذیه انبوه آن، مشکلی وجود نداشت.

DDR DRam
همانند SRam استاندارد. این حافظه نیز با FSB یا سرعت گذرگاه داده سیستم رابطه دارد. به عبارت دیگر، حافظه و گذرگاه، دستورالعمل‌ها را به‌طور همزمان اجرا می‌کنند، نه اینکه یکی از آنها مجبور باشد منتظر دیگری بماند.
بطور کلی، برای هماهنگ کردن ابزارهای منطقی انتقال داده‌ها باید در لبه یک کلاک انجام شود. زمانی که پاس کلاک بین 0.1 نوسان می‌کند، داده‌ها باید یا در لبه صعودی یا در لبه نزولی منتقل شوند. DDR DRam به این ترتیب کار می‌کند که این امکان را بوجود می‌آورد تا عملکرد خروجی بر روی تراشه‌ها در هر دو لبه صعودی و نزولی سیگنال انجام شود. به این ترتیب، فرکانس کلاک بدون افزایش در فرکانس عملی، دو برابر می‌شود، یعنی با دو برابر کردن سرعت گذرگاه، برای انعکاس نرخ داده، دوبل آن محاسبه می‌شود.

1T SRam
برای تکامل از SDRam, DRam که دی‌رم مقرون به صرفه‌تر از SRam برای هر MB بوده، اما همیشه از مشکل سرعت و تاخیرهایی که آن را برای بعضی از کاربردها نامناسب ساخته، رنج برده است.

حال چگونه می‌توان با DRam, SRam پدیده‌ای به نام 1T SRam را بوجود آورد؟
آنچه که 1T SRam را منحصر به فرد می‌سازد، این است که محصول یک اینترمین SRam-style واقعی را عرضه می‌کند که تمام عملیات نوسازی را از دید کنترلر مخفی می‌کند.
این نوع بر اساس یک سلول DRam تک ترانزیستوری (1T) ساخته شده است که کاهش اندازه die را به میزان 80-50 درصد در مقایسه با SRamهایی با چگالی مشابه را امکان‌پذیر می‌سازد. 1T-SRam همچنین با استفاده از کمتر از یک چهارم توان حافظه‌های SRam سنتی، صرفه‌جویی قابل توجهی را در مصرف برق ارائه می‌کند.

SImm
تراشه‌های حافظه، عموماً در DIPهای (Dual inline package) کوچک پلاستیکی یا سرامیکی بسته‌بندی می‌شوند که خرید آنها در داخل یک ماژول حافظه، سرهم‌بندی می‌شوند.
SImm یک مدار کوچک است که برای انطباق با تراشه‌های حافظه surface-mount طراحی شده است. SImmها از فضای برد کوچکتری استفاده کرده و فشرده هستند.
هنگامی که سیم‌های 32 بیتی با این پردازنده‌ها مورد استفاده قرار می‌گرفتند. باید به صورت جفتی نصب شوند که در این وضعیت، هر زوج از این ماژول‌ها یک بانک حافظه را تشکیل می‌دادند. پردازنده با یک حافظه به عنوان یک واحد صنعتی ارتباط برقرار می‌کرد. این نوع حافظه‌ها به صورت زیر وجود دارد:
1. خشاب حافظه دارای 2 تراشه است و فاقد بیت توازن است.
2. خشاب حلقه دارای 3 تراشه که دو عدد بیتی و یک عدد یک بیتی با نام توازن است.
3. خشاب حافظه دارای 8 تراشه است و فاقد بیت توازن است. [2]

DImm
دیم، جایگزین سیم شده. دیم‌ها در دو ردیف از اتصالات که هر یک از آنها در یک طرف کارت قرار گرفته‌اند، دارای 168 پایه هستند. با پایه‌های شبیه 7، یک کامپیوتر می‌تواند هر بار 64 بیت اطلاعات (بجای انتقال 16 یا 32 بیتی در سیم) از دیم‌، بازیابی نمایند.

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله  17  صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید