حمایت از حقوق مالکیت معنوی

اختصاصی از فایلکو حمایت از حقوق مالکیت معنوی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 50

1.مقدمه

حمایت از حقوق مالکیت معنوی یک موضوع مهم در مذاکرات تجاری چند حانبه می باشد. مباحث فعلی در مورد حقوق مالکیت معنوی دارای دو وضعیت کاملاً متقاوت می باشد. برخی افراد از حقوق مالکیت معنوی بعنوان یک ابزر اثر بخش برای پیشرفت تکنولوژی و بعنوان یک تسهیل کنند. برای انتقال تکنولوژی برای کشورهای در حال توسعه حمایت می کنند. برخی افراد دیگر یک دید گاه کاملاً متفاوت دارند و حقوق مالکیت معنوی را بعنون تنها عامل دفاع کننده از منافع کشور های پیشرفته در نظر گیرند. برای مثال برخی از اقتصاد دانان اظهار می کنند که رژیم حقوق مالکیت معنوی بین المللی فعلی قواعد جهانی بازیهای بین المللی را به نفع کشورهای توسعه یافته تغییر داده است و ایجاد منافع بلند مدت برای کشورهای درحال توسعه بخصوص کشورهای فقیر از جانی جنبه های تجاری حقوق مالکیت معنوی ( TRips) به نظر می رسد که بسیار پرهزینه و نامطمئن محقق می شنود ( word Bank 2001) علی رغم این انتقادات احتراز TRips بر این است که « حمایت و تقویت حقوق مالکیت معنوی باید به ارتقای نوآوری تکنولوژیکی و انتقال جذب تکنولوژی کمک نماید و منافع متقابل ایجاد کنندگان و استفاده از دانش تکنولوژیکی را طوری تامین نماید که به رخساره اقتصادی واجتماعی منجر شود. TRips .(Wipo, 1224) منعکس کنند منافع کشورهای پیشرفته می باشد. مخالفان TRips سئوالات اساسی در مورد نقش بالقوه حقوق مالکیت معنوی (TRips ) در انتقال تکنولوژی و جریانهای سرمایه به کشورهای در حال توسعه دارند. برای نمونه، در گزارش اخیر کمیته TRips به خودی خود منجر به افزایش FDI نمی شود، یا این حمایت انتقال تکنولوژی یا نو آوری محلی را در کشورهای در حال توسعه تشویق نمی کند. ( suns, 2000) ولی برخی مطالعات اخیر، پروژه uncTAD -icsTD ( Maslus,2000, lall and Albaladejo.20041 ) بینش های جدیدی در مورد رابطه بین IPRs و انتقال تکنولوژی به کشورهای در حال توسعه ارائه می کند. آنها دریافتند که اثرات IPRs بر انتقال تکنولوژی به کشورهای در حال توسعه و نوآورن محلی کشورهای در حال توسعه بر طبق سطح توسعه اقتصادی و ماهیت تکنولوژیکی فعالیتهای اقتصادی متفاوت می باشد.

این وضعیت در مطالعه موردی کشور کره وجنوبی مجدداً تایید گردید. بر مبنای تحقیقات بلند مدت بر روی رفتار ترکنا در انتقال تکنولوژی و ایجاد توانایی محلی در کره جنوبی، این مقاله نشان می دهد که:

a) حمایت از IPRs ممکن است بجای تسهیل استقال تکنولوژی مانع آن شود و در فعالیتهای یاد گیری بدحی در مرحله اولیه صنعتی سازی که یادگیری از طریق مهندسی معکوس و تقلید از محصولات بالغ خارجی روی می دهد مانع ایجاد نماید.

b ) تنها بعد از اینکه کشورها تواناییهای بومی کافی به همراه زیر ساخت علم و تکنولوژی گسترده برای ایجاد تقلید خلاقانه در مراحل بعدی انباشت کردند، حمایت از IPRs یک عنصر مهم در انتقال تکنولوژی و فعالیتهی صنعتی خواهدشد. این مقاله تاکید می کند که ژاپن، کره و تایوان البته این مقاله اشاره ای به آمریکا و دیگر کشورهای اروپایی در خلال انقلاب صنعتی شان نمی کند، نمی توانند به سطوح فعلی پیشرفت مرحله اولیه صنعتی سازی شان فشار وارد آورده باشد، دست یافته باشند.

پیش از این نیز مطالعه ای( lall.2001) به این نتیجه رسیده بود که کشورهای در حال توسعه می توانند به منافع بلند مدت ناشی از IPRs قدرتمند دست یابند تنها بعد از اینکه آنها به یک حدی ( Threshold) در صنعتی شد نشان رسید. باشند بعبارت دیگر IPRs قدرتمند ممکن است از سنعتی شدن کشورهای در حال توسعه در مراحل اولیه جلوگیری نماید. و تحت این محیط TPR کشورهای کمی مانند کروه و تایوان، میتوانند در آینده بعنوان اقتصادهای صنعتی شده و ( NiEs) ظهور پیدا کنند.

در دورة تغییر سریع تکنولوژیکی و متعاقب آن رقابتهای جهانی حساس، متوسط چرخة حیات محصول در کشورهای صنعتی کوتاهتر می شود. برای مثال، در بخشی الکترونیک چرخة حیات بسیاری از محصولات بیشتر از دو یاسه سال نیست، اگر کوتاهتر نباشد در بخش های اندکی چرخه های حیات بیشتر از زمان 20 ساله حمایت از حق ثبت اختراعات ( patent) به درازا می کشند. به عبارت دیگر، اگر نگوییم در همه بخشها، در بیشتر بخش ها در کشورهای پیشرفته درآمدهای بیشتری از سرمایه گذاری تحقیق و توسعه در چرخه حیات کوتاهتر محصول و قبل از اینکه تکنولوژی ساخت محصول به مرحله بلوغ برسد، بدست می آورند.

بنابراین پیامدهای اقتصادی حمایت قدرتمند از IPR برای محصولات در مرحلة بلوغ تکنولوژی ممکن است برای صاحبان IPR در کشورهای پیشرفته ناچیز باشد. اما آنها برای شرکتهای کوچک و بزرگ تهاجمی محلی در کشورهای در حال توسعه که به یادگیری تقلیدی وابسته هستند و رشدشان را سرکوب شد ؟؟ بسیار پرهزینه می باشند برای اقتصادهای درحال توسعه پیامد حمایت قدرتمندانه تر از IPR کاهش جریان دانش از کشورهای پیشرفته و نرخ پایین تر فعالیت خلاقانه می باشد. بطور خلاصه اگر مقصد بر این باشد که عرضه کنندگان تکنولوژی در کشورهای پیشرفته و دریافت کنندگان تکنولوژی در کشورهای در حال توسعه نفعی ببرنند بایستی تقویتIPR متناسب با سطح توسعه اقتصادی باشد. بعلاوه پیچیدگی تولید بخش درگیر، و میزان تهاجمی بودن شرکت در ایجاد ظرفیت جذب داخلی بایستی در رابطه با IPR و انتقال تکنولوژی تفاوتهای درنظر گرفت.

در این مقاله ابتدا، چارچوبهای تحلیلی، مسیر ( trajectory) تکنولوژی پیچیدگی تولید ظرفیت جذب و انتقال تکنولوژی ارائه می شوند سپس این موارد برای تشکیل مدل جامع همگون می شوند و این مدل برای تحلیل اثرات IPRs بر انتقال تکنولوژی و نوآوری محلی در کره جنوبی با قابلبت استفاده در دیگر کشورهای در حال توسعه استفاده خواهد شد. IPRs در این مقاله بطور گسترده به حق ثبت اختراعات بعنوان کپی رایت و علائم تجاری مربوط می شود.

تحقیق درباره سنسور و اهمیت کاربرد آن

اختصاصی از فایلکو تحقیق درباره سنسور و اهمیت کاربرد آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 67

1- سنسور و اهمیت کاربرد آن

1-1- مقدمه :

با پیشرفت سریع تکنیک اتوماسیون و پیچده تر شدن پروسه های صنعتی و کاربرد روز افزون این شاخه از تکنیک نیاز شدیدی به کاربرد سنسورهای مختلف که اطلاعات مربوط به عملیات تولید را درک و براساس این اطلاعات مقتضی صادر گردد، احساس می شود.

سنسورها به عنوان اعضای حسی یک سیستم، وظیفه جمع آوری و با تبدیل اطلاعات را به صورتی که برای یک سیستم کنترل و با اندازه گیری قابل تجزیه و تحلیل باشد به عهده دارند . در سالهای اخیر سنسورها به صورت یک عنصر قابل تفکیک سیستمهای مختلف صنعتی مورد استفاده قرار گرفته و پیشرفت سریعی در جهت جوابگویی به تقاضاهای صنعت در این شاخه از علم الکترونیک انجام پذیرفته است .

سنسورها جهت تبدیل عوامل فیزیکی مانند حرارت ، فشار ، نیرو ، طول، زاویه چرخش، دبی و غیره به سیگنالهای الکتریکی بکار برده می شوند و به همین منظور سنسورهای مختلفی که قابلیت ‌تبدیل این عوامل را به جریان برق دارا می باشند، ساخته شده اند .

یک سنسور را می توان با خصوصیات زیر تعریف نمود .

سنسور به عنوان تبدیل کننده اطلاعات فیزیکی به سیگنالهایی، که می توان از آنها به عنوان سیگنالهای کنترل استفاده نمود . عمل می کنند .

یک سنسور نباید حتماً یک سیگنال الکتریکی تولیدنماید . مانند سنسورهای پنیوماتیکی و...

سنسورها در دو نوع مختلف وجود دارند .

الف )با تماس مکانیکی مانند کلید قطع و وصل ، تبدیل کننده های فشاری و...

ب) بدون تماس مکانیکی مانند سنسورهای نوری و یا حرارتی و ...

- سنسورها می توانند بعنوان چشمهای کنترل کننده یک سیستم مورد استفاده قرار گرفته و وظیفه مراقبت از پروسه و اعلام خرابی و یا نقص یک سیستم را به عهده بگیرند .

در کنار کلمة سنسور با واژه های زیر نیز در صنعت روبرو هستیم .

عنصر سنسور

قسمتی از سنسور را تشکیل می دهد . که عامل فیزیکی را حس کرده ، ولی بدون ، کمک قسمت آماده سازی سیگنال قادر به انجام وظیفه نیست .

2- سیستم سنسور ی(Sensor system)

مجموعه ای از عناصر اندازه گیری تبدیل و آماده سازی سیگنال را یک سیستم سنسوری می نامند .

3- سیستم مولتی سنسور

سیستم هایی که دارای چندین سنسور از یک نوع و یا از انواع مختلف می باشند سیستم مولتی سنسور می نامند .

2-1- انواع خروجیهای متداول سنسورها

در استفاده از سنسورها می بایستی با انواع سیگنالهای خروجی الکتریکی آشنا بود می توان خروجیها را در پنج ردة مختلف دسته بندی نمود .

نوع A:

سنسورهایی با ماهیت قطع و و صل خروجی ( باینری ) مانند سنسورهای نزدیکی ، فشار ، اندازه گیری سطح مایعات و ..

این نوع سنسورها را عمدتاٌ می توان بطور مستقیم به دستگاه P.L.C متصل نمود .

نوع B:

سنسورهایی که سیگنال خروجی آنها بصورت پالسی می باشند ؛ مانند سنسورهای اندازه گیری میزان چرخش و با طول و ..

این نوع سنسورها اکثراٌ توسط یک Interface قابل وصل به دستگاه P.L.C می باشند.

P.L.C. می بایستی دارای شمارندة نرم افزاری و سخت افزاری باشد .

نوع C :

سنسورهایی که سیگنال خروجی آنها بصورت آنالوگ بوده ولی دارای بخش تقویت کننده و یا تبدیل کننده نمی باشند . این سیگنالها خیلی ضعیف بوده (در حد ملی ولت) و قابل استفاده مستقیم در دستگاههای کنترل نمی باشند، مانند سنسورهای Piezoelectric و با سنسورهای Hall.

نوع D:

سنسورهایی که سیگنال خروجی آنها بصورت آنالوگ بوده و واحد الکترونیک (‌تقویت کننده تبدیل کننده ) در خود سنسور تعبیه شده است . در این نوع سنسور خروجیها را می توان بطور مستقیم جهت استفاده در دستگاههای کنترل استفاده نمود .

محدودة خروجی سیگنالها عموماً به شرح زیر می باشند:

0….10V

-5….+5V

1…5V

0…20mA

-10…+10mA

4…20mA

تحقیق درباره کاربرد رایانه در برق

اختصاصی از فایلکو تحقیق درباره کاربرد رایانه در برق دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 17

مدار شماره 1

در مدارهای زیر الف) پتانسیل گره ها ب) جریان شاخه ها ج) توان هر یک از عناصر را بدست آورید. ابتدا برنامه را اجرا کرده وقتی محیط برای کار آماده شد مدار را رسم می کنیم. برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog المان R (مقاومت را در محیط ترسیم قرار می دهیم و بعد از آن در همین کتابخانه منبع جـریان وابستـه بـه جریان F را در محـیط کـار قرار می دهـیم و در کتابخانه Source که مربوط به منابع می باشد منبع ولتاژ DC به نام VDC را در مدار قرار می دهیم و بعد از آن با استفاده از Place wire مدار را رسم می کنیم و زمین را که با نام O/Source مشخص شده است در جای خود قرار داده و برای تغییر مقدار مقاومت و مقدار منبع با دبل کلیک کردن روی مقدار پیش فرض آن مقدار مورد نیاز را واردمی نماییم و برای تعیین ضریب وابستگی منابع وابسته با دبل کلیک کردن بر روی آنها در قسمت Gain ضریب وابستگی را مشخص می کنیم و سپس خارج می شویم و بعد از ترسیم باید آن را آنالیز می کنیم.

بعد از آن وارد قسمت محیط آنالیز می شویم و در قسمت Analyses type نوع آنالیز را مشخص می کنیم

و بعد از آن گزینه Run را اجرا می کنیم ومی توان ولتاژ جریان و توان راباانتخاب گزینه های V و I و W مشاهده نمود.

1ـ پتانسیل گره ها

2ـ جریان شاخه ها

3ـ توان عناصر

مدار شماره 2

بعد از اجرای برنامه هنگامی که محیط برای کار آمداه شد مدار را رسم کرده

پتانسیل گره ها جریان شاخه ها

توان عناصر

آنالیز در حوزه زمان Time domain :

توسط این آنالیز می توان پتانسیل گره ها، جریان هر المان و توان المان را توسط شکل موج ملاحظه کرد ترانزیستور

در مدار شکل زیر توسط آنالیز Bias point نقطه کار شامل IB، IE، IC، VBC و VCE را بدست آورید. سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز نموده و موارد خواسته شده را اندازه گیری کنید.

برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog مقاومت R و خازن C-elect و از کتابخانه Source منبع ولتاژ سینوسی (VSIN) ترانزیستور Q2N2219 و از کتابخانه Bipolar انتخاب کرده و در محیط کار قرار می دهیم و سپس توسط گزینه Place wire مدار را ترسیم می کنیم و زمین را که به نام O/Source مشخص شده است در جای مناسب قرار می دهیم و ظرفیت مقاومت ها و خازن ها را با دابل کلیک کردن بر روی مقدار ظرفیتی که از پیش انتخاب شده است مقدار ظرفیت مورد نیاز را وارد می کنیم و برای منبع ولتاژ سینوسی مقدار Freq=1K,VAMPL=10mv,Voff=0 را با دابل کلیک کردن روی آنها مقدار لازم را وارد می کنیم و با استفاده از (Vin) Place Netaliul و (Voo) در روی مدار مشخص می کنیم.

بعد از آن گزینه New Simulation Profile را در بالای صفحه انتخاب کرده و سپس نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.

و وارد محیط آنالیز می شویم و نوع آنالیز را Bias Point انتخاب کرده و OK را می زنیم. و سپس Run را اجرا می کنیم و با انتخاب این گزینه در بالای صفحه VCE و VBE را بدست می آوریم. و سپس با فعال کردن گزینه I جریان IB و IC و IE را بدست می آوریم.

سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز می کنیم و موارد زیر را بدست می آوریم.

1ـ IB و IC و IE 2ـ شکل موج ورودی با اندازه 3ـ شکل موج خروجی با اندازه 4ـ محاسبه ضریب تقویت ولتاژ 5ـ محاسبه مقاومت خروجی تقویت کننده 6ـ ضریب تقویت جریان 7ـ مقاومت ورودی تقویت کننده برای آنالیز در حوزه زمان ابتدا نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.

سپس نوع آنالیز را Time Domain انتخاب می کنیم و سپس مقدار مطلوب را برای Run to Time و Maximum Step Size انتخاب می کنیم و OK را می زنیم.

1ـ برای بدست آوردن جریان پایه بیس IB کرسر جریان را بروی پایه بیس قرار می دهیم و مدار را Run می کنیم. 2ـ برای بدست آوردن جریان پایه امیتر IE کرسر جریان را را روی پایه امیتر قرار داده و مدار را Run می کنیم. 3ـ برای بدست آوردن جریان پایه کلکتور IC کرسر جریان را روی پایه کلکتور قرار داده و مدار را Run می کنیم.

4ـ شکـل مـوج ورودی با انـدازه کرسر ولتاژ را در قسمت ورودی مدار Vin قرار داده و مدار را Run می کنیم.

5ـ برای رسم شکل موج خروجی با اندازه کرسر ولتاژ را در قسمت خروجی مدار Voo قرار داده و مدار را Run می کنیم.

6ـ برای محاسبه ضریب تقویت ولتاژ باید ولتاژ خروجی را تقسیم بر ولتاژ ورودی کرد.

7ـ مقاومت خروجی تقویت کننده را با استفاده از رابطه زیر بدست می آوریم.

با وارد کردن RL=1000meG مقدار Vooرا بدست می آوریم.

ضریب تقویت جریان برابر است با

Io برابر است با

Ii برابر است با

مقاومت روی تقویت کننده برابر است با

آنالیز DC Sweep

دیود معمولی

مدار را رسم نموده و منحنی مشخصه دیود را با استفاده از آنالیز DC Sweep بدست می آوریم. بعد از اجرای برنامه مدار را ترسیم می کنیم و برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog مقاومت و از کتابخانه Diode دیود 1N4376 و از کتابخانه Source منبع VSC را انتخاب نموده و توسط گزینه Place wire مدار را ترسیم می کنیم و برای تعیین ظرفیت مقاومت با دابل کلیک کردن روی مقدار پیش فرض مقدار جدید را وارد می کنیم و در منبع VSRC مقدار DC را 1.V انتخاب می کنیم. سپس زمین را با نام O/Source در جای

مقاله درباره مدارهای الکتریکی

اختصاصی از فایلکو مقاله درباره مدارهای الکتریکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 25

مدارهای الکتریکی 1

  تبدیل منابع - توان - انرژی - ستاره ومثلث

منابع ولتاژ و منابع حریان ایده آل را می توان در شاخه های شبکه تبدیل کرد . منابع ولتاژ مشترک بین دو حلقه را می توان جابجا نمود و منابع جریان بین دو گره را نیز می توان جابجا نمود. بدون آنکه روابط حاکم بر مدار تغییر کند. مثالی از تبدیل منابع جریان

مثالی از تبدیل منابع ولتاژ

  توان

توان لحظه ای تحویل داده شده به یک المان برابراست با

P(t)= V(t) . I(t)

طبق جهتهای قرار دادی ، اگر (p(t مثبت باشد المان مربوط توان را جذب می کند و آن المان را پسیو می گویند. اگر (p(t منفی باشد المان مربوط توان را تحویل می دهد و آن المان را اکتیو یا فعال می گویند.  

  توان تلف شده در یک مقاومت چیست؟

P = V . I = RI2 =( V2 ⁄ R )  

  انرژی داده شده به یک المان بر حسب توان آن چگونه بیان می شود؟

--> انرژی داده شده در زمان T  

  انرژی ذخیره شده در یک سلف چگونه بیان می شود؟

  انرژی ذخیره شده در یک خازن چگونه بیان می شود؟

  تبدیلهای ستاره - مثلث

  تبدیل ستاره به مثلث

  تبدیل مثلث به ستاره

  تمام مقاومتهای شبکه بی نهایت زیر R هستند . مقاومت بین گره های A , B را بیابید

با کمی دقت دیده می شود که مقاومت بین گره های C , B و بین گره های B , D با مقاومت بین A , B برابر است . لذا شبکه بی نهایت را می توان با شکل زیر معادل دانست.

Req = R + ( Req ⁄ 2 ) = 2R

ترشوندگی گرافیت تا سرباره وسینتیک واکنش

اختصاصی از فایلکو ترشوندگی گرافیت تا سرباره وسینتیک واکنش دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 29

مقاله اصول 1

ترشوندگی گرافیت تا سرباره وسینتیک واکنش

قسمت اول، سینتیک و مکانیسم واکنش احیای Feo مذاب

w.Siddigi,B.Bhoi,R.K.Paramguru, V.sahaj walla, and O.Ostrvski این نوشته، نتایجی در رابطه با سینتیک ومکانیسم کاهش Feo با گرافیت ارائه می دهد، این اطلاعات از تحقیقات تجربی(آزمایشی) در مورد ترشوندگی گرافیت با سرباره مذاب حاوی Feo بدست آمده اند. نرخ احیا Feo با اندازه گیری میزان گاز Co حاصل از کاهش Feo تعیین می شود. وآزمایش ها با تجهیزات یکسانی در روش قطره چبنده انجام می گیرد.Sessile drop opparatos واکنش احیاء با تماس مستقیم سرباره و گرافیت شروع می شود. Co تولید شده و به درون قطره سرباره مذاب پخش می شودو با عث کف کردن سرباره می شود احیاء بیشتر Feo اغلب از طریق احیا غیرمستقیم ادامه می یابد. مشخص شده است که نرخ احیا به میزان Feo ابتدایی بستگی دارد.

افزایش دما ،نرخ واکنش بالا می برد. واکنشی با انرژی اکیتواسیون 112.18 kg mol ای نتایج نشان میدهند که احتمالا، انتقال Feo به فاز سرباره مذاب آهسته ترین مرحله است. (در زمانی که کار انجام می شد، Dr,Dr,Mr,Dr در مدرسه علوم مهندسی ،‌دانشگاه sydney 2.52 ,New svth wales استرالیا بودند و Dr در آزمایشگاه محلی f510B Bhrbonewar هند بوده است. نوشته در 1999 Dec 16 رسید و در 20 April 2000 پذیرش شد.

2000 lom commuincation Ltd.

مقدمه:

نسل کنونی فرآیند حمام مذاب برای تولید آهن، به میزان زیادی به بر هم کنش سرباره و کربن بستگی دارد، چرا که (N%40) آهن با زغال نیمسوز پراکنده در فاز سرباره احیا می شود.

بنابراین فصل مشترک کربن سرباره مهم فرض می شود.

در آن جا باید شوندگی مناسبی بین سطح کربن جامد و سرباره مایع ایجاد شود تا تماسی مناسب برای ایجاد واکنش داشته باشیم.

همچنین سینتیک و مکانیسم واکنش نیز به این فصل مشترک وابسته است.

در این نوشته، مولفین حاضر، ترشوندگی گرافیت با سرباره Cao,sio2-Al2o3 –Feo-Mgc را با استفاده از تکنیک قطره چسبیده مورد مطالعه قرار دادند

تاثیر پارامترهای مختلی از جمله ،ترکیب سرباره (Fe,Mg,sio2) دما و نوع گرافیت برترشوندگی تحقیق شد. مشخص شد که دو مورد مهم تر اثرگذار بر تر شوندگی، میزان Feo

دو سرباره ودما هستند. تساوی 1 به عنوان واکنش اصلی در رابطه با ترشوندگی سطح گرافیت با سرباره مذاب حاوی Feo ذکر می شود:

Feo+c=Fe+Co

ترشوندگی به دو کلاس گسترده ترشوندگی فیزیکی وشیمیایی تقسیم می شود. در ترشوندگی فیزیکی نیروهای فیزیک بازگشت پذیر مثل وان در والنس ونیروهای پراکندگی گسترش انرژی جذابه لازم بریا تر شدن سطح را فراهم می کند. در حالی که در ترشوندگی شیمیایی، واکنشی در فصل مشترک جامد ،مایع صورت می گیرد که به همراه انتقال جرم ،علت اصلی ترشوندگی هستند.

مورد دوم که به عنوان واکنش ترشوندگی نیز مشخص می شود، موضوع را با فرایضی شرح می دهد.

در حال حاضر بنا به اطلاعات مولف، تئوری کاملا