درس دینامیک سیستم های قدرت از دروس اصلی رشته برق قدرت می باشد. جزوه ارائه شده حاصل بیش از سی سال تجربه کلاسی استاد ارجمند دکتر بطحایی می باشد که بصورت فایل pdf در 129 صفحه تهیه شده است.
جزوه کلاسی دینامیک سیستم های قدرت دکتر بطحایی
درس دینامیک سیستم های قدرت از دروس اصلی رشته برق قدرت می باشد. جزوه ارائه شده حاصل بیش از سی سال تجربه کلاسی استاد ارجمند دکتر بطحایی می باشد که بصورت فایل pdf در 129 صفحه تهیه شده است.
چکیده
کودکی از دوران پر اهمیت زندگی آدمی است که بی شک زیر بنای سایر مراحل زندگی نیز می باشد با توجه به رشد شهرنشینی و تغییر ساخت زندگی خانوادگی، افزایش روز افزون طلاق، مهاجرت، زاغه نشینی، بیکاری و اضمحلال ارزشها و اخلاقیات، عدم سیاست گذاری درست در مورد جمعیت و ... شاهد بروز پدیده کودکان کار و خیابانی می باشیم. این کودکان بیشترین آسیب پذیری را در برابر همه نوع سوء استفاده های عاطفی و جنسی را دارند. در حقیقت پدیده کودکان خیابانی یکی از مشکلات آسیب زای اجتماعی است که از دیرباز در سراسر جهان وجود داشته و در سالهای اخیر به دلائل گوناگون افزایش یافته است. در کشور ما نیز این پدیده با ویژگی های خاص خود ضرورت توجه به آن را مطرح می سازد. آخرین تخمین ها حاکی از آن است که 350 میلیون کودک 5 الی 14 ساله در کشورهای در حال توسعه جزء کودکان کار و خیابانی هستند، حضور این کودکان در خیابان پیامدهایی را دارد، این کودکان بستر مناسبی برای تولید جرم و بزهکاری می باشند که نهایتاً منجر به تهدید امنیت اجتماعی می گردد. بنابراین شناسایی ابعاد و زوایای پیدا و پنهان این پدیده و ارائه راهکار در زمینه کاهش تبعات اجتماعی آن این تحقیق در قالب یک مقاله علمی صورت گرفته است.
مجموعه مطالب کلاسی درس دینامیک سازه ها
استاد:دکتر خسرو برگی (دانشگاه تهران)
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایقشده یا IGBT (کوتاه شده عبارت انگلیسی Insulated gate bipolar transistor) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود. این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده هااستفاده میشود. همچنین در ساخت انواع اینورترها،ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.
در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمیکند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند.به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت،تلفات آن نیز زیاد میشود.المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.این قطعه جدید IGBT نام دارد.در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.
فهرست مطالب:
مقدمه
اساس IGBT
مزایا و معایب IGBT
مقایسه IGBT با MOSFET و BJT
شباهت های IGBT با سایر افزاره ها
Trade-off
ساختار IGBT
PT و NPT
مقایسه PT و NPT
عملکرد IGBT
مشخصه خروجی
مشخصه انتقالی
نرم افزارهای شبیه سازی ادوات
توضیحاتی در خصوص Silvaco
مقالات مطالعه شده
منابع
همچنین کلیه فایل های مربوط به پروژه اعم از فایل اصلی پاورپوینت، رفرنس ها و مقالات و فایل اجرایی برنامه سیلواکو در پروژه قرار گرفته است.