فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

سمینار ارشد برق چاه های کوانتومی نیمه هادی Semiconductor Quantum Holes

اختصاصی از فایلکو سمینار ارشد برق چاه های کوانتومی نیمه هادی Semiconductor Quantum Holes دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سمینار ارشد برق چاه های کوانتومی نیمه هادی Semiconductor Quantum Holes


سمینار ارشد برق چاه های کوانتومی نیمه هادی Semiconductor Quantum Holes

چکیده:

از روی هم قرار دادن لایه های هم بافته مواد نیمه هادی پیوند نامتجانس نوع ایجاد می شود.

در این نوع پیوندها، به واسطه اثرات چاه های کوانتومی ساختار نواری اصلاح می گردد. در ساختار چاه کوانتومی الکترون فقط در یک بعد، محدود می شود.

بنابراین، در دو بعد، روی طیف پیوسته انرژی و در یک بعد، روز ترازهای گسسته انرژی حرکت می کند. در این ساختارها، اثرانی که ناشی از پهنای کم می باشند، به وضوح مشاهده می شود. این اثرات به عنوان اندازه کوانتومی مشهور می باشند. در چاه کوانتومی نوع اول، نوار رسانی و نوار ظرفیت، در یک راستا قرار می گیرند، در حالی که در چاه کوانتومی نوع دوم، نوارهای مذکور در یک راستا قرار نمی گیرند.

خواص منحصر به فرد پیوندهای نامتجانس نوع، امکان تولید آشکارسازهای نوری مادون قرمز جدیدی را با کارایی در دمای بالاتر، قدرت آشکارسازی و یکنواختی بیشتر نسبت به آشکارسازهای موجود را فراهم می کند. این افزاره ها به دو گروه عمده تقسیم می شوند: آشکارسازهای مادون قرمزی که از دستگاه خنک کننده برای کاهش دما عملیاتی آنها استفاده می شود و در محدوده طول موج های بلند مادون قرمز کار می کنند و آشکارسازهای مادون قرمزی که به خنک کننده نیاز ندارند و در محدوده طول موج های خیلی بلند مادون قرمز کار می کنند.

آشکارسازهای مادون قرمزی که به خنک کننده نیاز ندارند، در حسگرهای سبک وزن و ارزان قیمت که کاربردهای پزشکی و صنعتی زیادی دارند، بسیار مورد استفاده قرار می گیرند. در حسگرهایی که نیاز به خنک کننده ندارند، از آشکارسازهای میکروبولومتری یا فروالکتریک استفاده می شود. این حسگرها ذاتا کند هستند و نمی توانند تغییرات سیگنال های سریع مورد نیاز سامانه های مادون قرمز پرسرعت را آشکار کنند.

آشکارسازهای فوتون مادون قرمز را می توان به دو گروه طبقه بندی کرد، یکی آشکارسازهای مادون قرمز میان نواری مانند HgCdTe و دیگری آشکارسازهای مادون قرمز چاه کوانتومی میان زیرنواری (QWIP). از محدودیت های اصلی در آشکارسازی های میان نواری، افزایش نرخ «بازترکیب اوژه» می باشد، که باعث محدودیت های کار آنها در دماهای بالا می باشد. با اصلاح شکاف نوار در «ابرشبکه های نوع » تا حدود زیادی از نرخ بازترکیب اوژه در دمای اتاق، کاسته می شود.

مقدمه

در این سمینار ویژگی های منحصر به فردی از پیوندهای نامتجانس نوع را برای تحقق آشکارسازهای مادون قرمزی با دمای عملیاتی بالاتر و قدرت آشکارسازی و یکنواختی بیشتری نسبت به آشکارسازهای مادون قرمز رایج، استفاده کرده ایم. این تلاش روی دو نوع مهم از افزاره ها متمرکز شده است: آشکارسازهای مادون قرمزی که از دستگاه خنک کننده برای کاهش دما عملیاتی آنها استفاده می شود و افزاره هایی که در آنها از دستگاه خنک کننده استفاده نمی شود. این دو نوع آشکارساز در محدوده طول موج مادون قرمز بلند کار می کنند.

آشکارسازهای مادون قرمز نوع دوم در سامانه های حسگری کم وزن و ارزان قیمت کاربرد دارند این حسگرها در زمینه های پزشکی و صنعتی بسیار مورد استفاده قرار می گیرند.

حسگرهای IR  که نیاز به خنک کننده ندارند، از آشکارسازهای میکروبولومتری یا فروالکتریک استفاده می کنند. این حسگرها کند هستند و نمی توانند تغییرات سیگنال های سریع مورد نیاز برای سامانه های مادون قرمز سرعت بالا را آشکار کنند. بعضی از کاربردهای آشکارسازهای سریع در صنایع پزشکی و LIDAR ها می باشد. اگرچه آشکارسازهای نوری، پاسخ فرکانسی بالایی در محدوده مگاهرتز دارند، اما دمای آشکارسازی بالای آنها به خاطر نرخ های بازترکیب بالا، کاهش یافته است. مهندسی شکاف انرژی برای جلوگیری از بازترکیب در دمای اتاق در ابر شبکه های نوع مورد استفاده قرار گرفته است. آشکارسازهای مذکور بر مبنای ابرشبکه های طراحی و پایه گذاری شده اند و قدرت آشکارسازی 10CmHz/W*1/3 را در 11 میکرومتر نشان می دهند. این مقدار قابل قیاس با میکروبولومترها می باشد. در آشکارسازهای رایج از سیلسیم ذاتی و HgCdTe استفاده می شود. که باید تا دمای پایین تر از 10k خنک شوند. اما یکنواختی خوبی در محدوده آشکارسازی طول موج های خیلی بلند ندارند.

تعداد صفحات: 65

 


دانلود با لینک مستقیم


سمینار ارشد برق چاه های کوانتومی نیمه هادی Semiconductor Quantum Holes

دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از فایلکو دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور


دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها
نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.
ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.
ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .
این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر  کشف شد.
این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک  و تنارد  کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .
اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.
بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.
د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.
بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

1.    نیمه هادی نوع N وP
از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.
هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق  شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.
بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N  نام دارد.
در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.
هرگاه به عناصر نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم ، یک ماده 3 ظرفیتی مانند آلومنیوم یا گالیم تزریق شود، سه الکترون مدار آخر آلومنیوم با سه الکترون سه اتم سیلیسیم یا ژرمانیم مجاور ، تشکیل پیوند اشتراکی می‌دهند . پیوند چهارم دارای کمبود الکترون و در واقع یک حفره تشکیل یافته است .
هر اتم سه ظرفیتی، باعث ایجاد یک حفره می‌شود، بدون اینکه الکترون آزاد ایجاد شده باشد. در این نیمه هادی ناخالص شده، الکترون ها فقط در اثر شکسته شدن پیوندها بو جود می‌آیند.
نیمه هادی هایی که ناخالصی آنها از اتم های سه ظرفیتی باشد، نوع P   می‌نامند .
حفره ها در این نیمه هادی به عنوان حامل های اکثریت و الکترون ها به عنوان حاملهای اقلیت وجود دارد، تبدیل یک نیمه هادی نوع p وn و بالعکس بوسیله عملی به نام «جبران»(Compensation) امکان پذیر می‌باشد .

 36 صفحه فایل ورد قابل ویرایش

 

فهرست مطالب:

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها. ۲

۱- نیمه هادی نوع N وP.. 3

2- اتصال PN و تشکیل نیمه های دیود. ۵

۳ـ۱) لایه تهی… ۶

۳ـ۲) پتانسیل سد.. ۷

۳ـ۳ ولتاژ شکست…. ۹

۳ـ۴ منحنی دیود در بایاس مستقیم.. ۱۰

۳ـ۵ منحنی دیود. ۱۱

۳ـ۶ دیود ایده آل.. ۱۱

۳ـ۷ ظرفیت دیود. ۱۲

۳ـ۸ دیود با ظرفیت متغییر(وراکتور). ۱۳

۳ـ۹ دیود زنر. ۱۳

۳ـ۹ـ۱ شکست بهمنی و شکست زنر. ۱۳

۳ـ۱۰خاصیت خازنی پیوند و دیودهای وراکتور. ۱۵

مدارهای دیودی… ۱۵

۳-۱۱عیب یابی… ۱۶

۴ـ۱ ترانزیستور بدون بایاس…. ۲۰

۴ـ۲ بایاس FF وRR.. 21

4ـ۳ بایاس FR.. 22

4ـ۴ مقاومت اهمی‌بیس…. ۲۴

۴ـ۵ ولتاژهای شکسته. ۲۵

۴ـ۶ بیس مشترک… ۲۷

۴ـ۷ امیتر مشترک… ۲۸

۴ـ ۸ کلکتور مشترک… ۲۸

۴ـ۹عیب یابی… ۲۸

عیوب متداول.. ۲۸

تعمیرکار چگونه باید فکر کند؟. ۲۹

فهرست منابع.. ۳۲

 


دانلود با لینک مستقیم


توصیف آشکارسازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی

اختصاصی از فایلکو توصیف آشکارسازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

توصیف آشکارسازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی


توصیف آشکارسازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی

 

 

 

 

 

 

 

مقاله با عنوان توصیف آشکارسازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی در فرمت ورد و شامل مطالب زیر می باشد:

«توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی»
مقدمه و اهداف
آشکار سازی آشکارسازهای نوترونی صفحه ای
بهره آشکارسازی آشکارسازهای دارای حفره هرمی
بهره آشکارسازی آشکارسازهای3D نوترون
آزمایشهای ساختارهای سه بعدی
توصیف نمونه ها و اندازه گیریها
نتایج اندازه گیری
بحث و بررسی


دانلود با لینک مستقیم