فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

ارزیابی نوسانات قیمت سهام با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو

اختصاصی از فایلکو ارزیابی نوسانات قیمت سهام با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ارزیابی نوسانات قیمت سهام با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو


ارزیابی نوسانات قیمت سهام با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو

پایان نامه کارشناسی ارشد حسابداری

111 صفحه

چکیده:

در این پژوهش به بررسی توان پیش بینی شبیه سازی مونت کارلو برای نوسان در افق یک ماهه پرداخته شده است. هدف پژوهش در قالب دو فرضیه بیان شده است. فرضیه اول به این شکل مطرح شده که تفاوت معناداری در پیش بینی نوسانات قیمت سهام توسط شبیه سازی مونت کارلو با پیش بینی مدل گارچ وجود دارد و فرضیه دوم بیان میکند که با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو می توان نوسانات قیمت سهام را برای دوره خارج از نمونه پیش بینی نمود. داده های پژوهش شامل سری شاخص کل قیمت سهام در فاصله سالهای 1376 تا 1391 می باشد. برای مدل گارچ از سه تابع توزیع نرمال ، t-استیودنت و GED استفاده شده است و برای ارزیابی نتایج از سه تابع زیان آماری RMSE ، MAE و MAPE کمک گرفته ایم. همچنین برای بررسی معناداری تفاوت پیش بینی های مدل گارچ و شبیه سازی مونت کارلو ، آزمون دایبولد - ماریانو را انجام می دهیم. نتایج حاکی از آن است که مدل گارچ پیش بینی های دقیق تری را نسبت به شبیه سازی مونت کارلو ارائه می دهد، اما پیش بینی های این دو روش با توجه به آزمون دایبولد - ماریانو تفاوت معناداری ندارند و بطور کلی می توان گفت شبیه سازی مونت کارلو نتایج قابل قبولی را برای پیش بینی نوسان بدست می دهد.

کلمات کلیدی: پیش بینی نوسان، مدل گارچ، شبیه سازی مونت کارلو، حرکت هندسی براونی


دانلود با لینک مستقیم


ارزیابی نوسانات قیمت سهام با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو

آزمایش نوسانات پیچشی (با استهلاک ویسکوز)

اختصاصی از فایلکو آزمایش نوسانات پیچشی (با استهلاک ویسکوز) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .
تئوری و تجزیه و تحلیل آزمایش:
معادله حرکت نوسانی در یک سیستم پیچشی با یک درجه آزادی همراه با استهلاک ویسکوز به صورت زیر محاسبه می شود: ...

فهرست مطالب:
هدف آزمایش
تئوری و تجزیه و تحلیل آزمایش
روش انجام آزمایش
خواسته های آزمای
بحث و نتیجه گیری

دانلود با لینک مستقیم


آزمایش نوسانات پیچشی (با استهلاک ویسکوز)

دانلود مقاله تاثیر نقص لبه ای و نوسانات بالقوه در خواص انتقال نانو روبانهای گرافن همراه با ترجمه *

اختصاصی از فایلکو دانلود مقاله تاثیر نقص لبه ای و نوسانات بالقوه در خواص انتقال نانو روبانهای گرافن همراه با ترجمه * دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله تاثیر نقص لبه ای و نوسانات بالقوه در خواص انتقال نانو روبانهای گرافن همراه با ترجمه *


دانلود مقاله تاثیر نقص لبه ای و نوسانات بالقوه در خواص انتقال نانو روبانهای گرافن همراه با ترجمه *

دانلود مقاله تاثیر نقص لبه ای و نوسانات بالقوه در خواص انتقال نانو روبانهای گرافن همراه با ترجمه ؛ یک مقاله خوب برای رشته مهندسی برق در 17 صفحه برایدانلود شما ترجمه شده است .

 

Influence of Edge Defects, Vacancies, and Potential Fluctuations on Transport Properties of Extremely Scaled Graphene Nanoribbons

چکیده :

شبیه سازی انتقال کوانتومی مربوط به یک اتم بزرگ، برای بررسی تاثیر اختلال درانتقال خواص در نانوروبانهای بسیار کوچک با طول 10 نانومتر و عرض 1-4nm در این مقاله بررسی خواهد شد. در این مقاله وابستگی بر فاصله انتقال و رسانایی در نسبت به چگالی نقص لبه ای چگالی جای خالی و دامنه نوسان بالقوه است. برای کوچکترین شبکه ها با تراکم نقص شبکه واقعی افزایش فاصله انتقال تا 300 درصد امکان دارد. همچنین تنوع نسبتا بالایی از فاصله انتقال گزارش شده است.  در مقابل در می یابیم که نوسانات بالقوه تاثیر ناچیزی بر فاصله انتقال داشته و باعث افزایش نسبتا کم مقدار ON , OFF می شود.

کلید واژه: نقص در صفحه  و لبه،  نانوروبانهای گرافن (GNRS) تابع شبیه سازی غیر تعادلی (NEGF)،پتانسیل نوسانات ، فاصله انتقال و پست های خالی.

1-   مقدمه

معماری ساختارهای جدید و مواد جایگزین به منظور حل مسائل مربوط به ترانزیستورها است، که در آنها از فناوری اکسید فلز نیمه هادی (CMOS) استفاده شده است. در میان بسیاری از کانی ها دستگاههای نانو الکترونیک مبتنی بر گرافن، علاقه پژوهشگران را فوق العاده به خود جلب کرده که ناشی از انتقال بالا و سازگاری با تکنولوژی های مرسوم است. مشکل اینجاست که در سطوح بزرگتر ، گرافن باعث افزایش OFF شده و در  صورت استفاده از نانو روبان های گرافن (GNRS) یک باند شکافی جدیدی به دلیل حبس کوانتومی بدست می آید. با توجه به وابستگی به باند گپ در عرض نانوروبانها عرض قابل قبولی توسط شکاف باند برای (CMOS)های خاص تعریف می شود. با توجه به این در ترانزیستور ها اثر میدانی بر اساس ساختارهای سیلکونی می تواند در فن آوری نانو جایگزین شده که طول کانالی در حدود 10 نانومتر بوجود می آورد.  بنابراین این تحقیقات برای طول بیشتر از 10 نانومتر و عرض بیشتر از 5 نانومتر برای نانو روبانهای گرافنی ضروری بوده و وجود شکاف باند قابل قبول است.

به منظور دسترسی به ارزیابی عملکرد GNR و کاربرد آنها CMOS باید بررسی شود. این مطالعه به  بررسی اثر اختلاف مختلف در روند ساخت بوجود آمده و ناخالصی های موجود پرداخته است. تاثیر اختلال در گرافن به تازگی بررسی شده است. با این حال گزارش ها اثر اختلال در GNRS را عمدتا مربوط به نفوذ نقص لبه ای دانسته، که در GNRS های بزرگ دیده می شود. و یا در مواردی خاص از نقص شبکه وجود دارد.  بنابراین یک تحقیق کامل از نفوذ همه منابع مرتبط با اختلالات درخواص انتقال GNRS ها ضروری است. در این مقاله در حال حاضر ما به طور متوسط از لحاظ آماری خواص انتقال بدست آمده از شبیه سازی انتقال کوانتومی اتم در گروه زیادی از GNR ها  که بطور تصادفی تولید شده اند،  را بررسی می نماییم. روش های آماری با توجه به تنوع بالای خواص GNR که ناشی از اختلال است الزامی می باشد. گزارش رفتار فاصله انتقال در حین آن و ON,OFF در 300 درصد کلوین برای بررسی اختلال نقص های مختلف در عیب لبه ای و جای خالی و نوسانات بالقوه است.


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله تاثیر نقص لبه ای و نوسانات بالقوه در خواص انتقال نانو روبانهای گرافن همراه با ترجمه *