فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور 35 ص

اختصاصی از فایلکو تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور 35 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور 35 ص


تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور 35 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 36

 

آشنایی با ساختمان و عملکرد

نیمه هادی دیود و ترانزیستور

ارائه شده به:

توسط :

امیرحسین لطف اله‌پور

رشته : عمران

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور 35 ص

تحقیق در مورد آشنایی با تاسیسات الکتریکی

اختصاصی از فایلکو تحقیق در مورد آشنایی با تاسیسات الکتریکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد آشنایی با تاسیسات الکتریکی


تحقیق در مورد آشنایی با تاسیسات الکتریکی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 36

 

دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل

عنوان :

گزارش کار کارآموزی

(آشنایی با تاسیسات الکتریکی)

استاد مربوطه :

آقای دکتر اشکواری

تهیه و تنظیم:

مجید یگانه

سال تحصیلی 86-85

بخش اول : آشنایی با تاسیسات الکتریکی

آشنایی با جریان سه فاز

جریان سه فاز در مداری که سیم بندی القاء شونده آن (آرمیچر) از سه دسته سیم پیچ جدا که هر کدام نسبت به هم 120 درجه الکتریکی اختلاف فاز دارند تهیه می شود.

انواع اتصال در سیستم سه فاز

در سیستم سه فاز معمولاً‌ از سه نوع اتصال استفاده می شود :

الف- اتصال ستاره

ب- اتصال مثلث

ج- اتصال مختلط

-محاسبه جریان و ولتاژ در اتصال ستاره

همانطور که می دانیم در اتصال ستاره اختلاف سطح هر فاز با سیم نول ولتاژ فازی (UP) و اختلاف سطح هر فاز با فازی دیگر ولتاژ (Ul) را تشکیل می دهند. مقدار ولتاژ خط از مجموع دو ولتاژ فازی بدست می آید. به همین جهت برای بدست آوردن مقدار Ul باید برآیند دو ولتاژ فازی را رسم و مقدار آن را محاسبه نماییم. بدین ترتیب که یکی از بردارها را در امتداد و به اندازه خودش رسم کرده و سپس بردار را با بردار پهلویش رسم می کنیم. رابطه روبرو برقرار است :

اما جریانی که از هر کلاف عبور می کند همان جریان خط می باشد. یعنی در اتصال ستاره جریان خط مساوی جریان فاز است . IL=IP

-محاسبه جریان و ولتاژ در اتصال مثلث

در این روش کلافهای مصرف کننده یا مولد به شکل مثلث قرار می گیرند. همانطور که می دانیم ولتاژ خط UL در اتصال مثلث همان ولتاژی است که در دو سر کلاف قرار دارد یعنی در اتصال مثلث ولتاژ خط برابر با ولتاژ فاز است : UL = UP

اما جریانی که از هر خط می گذرد مجموع برداری جریان دو کلاف بعدی است. پس جریان هر خط 73/1 برابر جریان هر فاز است :

-اتصال مختلط ترکیبی از اتصالهای ستاره و مثلث می باشد.

توان در مدارهای سه فاز

در یک اتصال سه فاز توان کل از مجموع توانهای هر فاز بدست می آید : P = P1+P2+P3

اگر بار متعادل باشد داریم : P1 = P2 = P3 = Pph

پس توان کل می تواند سه برابر توان هر فاز باشد : P = 3Pph

P = Up.lp.COS (()

در اتصال ستاره توان بصورت زیر بدست می آید :

و ip=iL

در اتصال مثلث هم رابطه بالا صادق می باشد.

روشهای اندازه گیری توان

معمولاً برای اندازه گیری در سیستم سه فاز از دو روش زیر استفاده می کنند :

الف- روش چهار سیم (3 واتمتری)

ب- روش سه سیم (2 واتمتری)

الف- روش چهار سیم :

در این روش با استفاده از 3 واتمتر که سر راه هر فاز قرار می گیرد و سیم نول توان هر فاز جداگانه اندازه گیری شده و مجموع این سه واتمتر توان کل می باشد. اگر بار کاملاً متعادل باشد هر سه واتمتر دارای مقادیر مساوی می شوند. پس در یک بار متعادل فقط از یک واتمتر هم می توان استفاده کرد.

ب- روش سه سیم :

در این روش بدون سیم نول عمل می شود. دو واتمتر که هر کدام بین دو فاز قرار می گیرد البته فاز وسط برای فازهای اول و سوم مشترک است توان کل از مجموع دو واتمتر بدست می آید.

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد آشنایی با تاسیسات الکتریکی

تحقیق در مورد آشنایی با میکروکنترلرها

اختصاصی از فایلکو تحقیق در مورد آشنایی با میکروکنترلرها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد آشنایی با میکروکنترلرها


تحقیق در مورد آشنایی با میکروکنترلرها

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 25

 

به نام خدا

اطلاعات کلی در مورد میکروکنترلرهای AVR

فهرست:

آشنایی با میکرو کنترلرها2………………………………………………………

سیر تکاملی میکرو کنترلرها3……………………………….……………………

معماری داخلی میکرو کنترلرها5.…………………………………………………

مقدمه ای بر میکروکنترلرهای AVR : 8

بهره های کلیدی AVR : 8

واژگان کلیدی AVR : 9

خانواده های محصولات AVR : 9

AVR های مدل tiny: 9

AVR های مدل Mega: 10

نکات کلیدی و سودمند مدل Mega : 12

AVR های مدل LCD: 11

نکات کلیدی وسودمند مدل LCD : 11

نکات کلیدی و سودمند حافظه ی فلش خود برنامه ریز: 13

راههای مختلف برای عمل برنامه ریزی: 13

پروگرامرهایی که AVR های خاصی را پشتیبانی می کنند: 14

مقایسه ریز پردازنده و میکرو کنترلر 15……...………………...............................

آشنایی با میکرو کنترلرها

میکروکنترلرها یکی از قطعات پرکاربرد الکترونیکی در صنایع گوناگون و مصارف شخصی می باشند که در بین علاقه مندان الکترونیک بسیار محبوب هستند. در واقع یک میکروکنترلر یک CPU مانند CPU ی کامپیوتر شماست همراه با مدارات و قطعاتی که برای کار آن ضروری است به اضافه مداراتی که امکاناتی را به آن اضافه می کند و اینها همگی در کنار هم و در یک تراشه جمع شده اند. در واقع میکروکنترلرها برنامه هایی را که برایشان نوشته شده و در داخل آنها قرار داده شده را اجرا می کنند. این برنامه ها دقیقا شبیه برنامه هایی است که در کامپیوترهای شخصی با زبانهایی مثل اسمبلی ، C ، بیسیک یا پاسکال نوشته می شوند.

میکرو کنترلرها از ابتدا تا کنون پیشرفتهای زیادی داشته اند و هم اکنون تولید کنندگان زیادی آنها را در مدلهای مختلف و با کارکردهای مختلف می سازند. بعضی از مهمترین تولید کنندگان عباتند از Atmel و Microchip .

همانطور که ذکر شد در داخل میکرو کنترلرها علاوه بر CPU (که عموما دارای گذرگاه داده 8 بیت است) مدارات دیگری نیز وجود دارند که بسته به تولید کننده و مدل آن متفاوت است. این مدارات ممکن است شامل نوسان ساز ساعت سیستم، حافظه Flash برای ذخیره برنامه، حافظه RAM ، حافظه EEPROM / Flash برای داده، شمارنده / تایمر، پورت سریال، مقایسه کننده آنالوگ، مبدل آنالوگ به دیجیتال / دیجیتال به آنالوگ، PWM ، پورت USB و... باشد.

همانطور که گفته شد با وجود این مدارات در داخل تراشه، تقریبا برای کار میکروکنترلر به هیچ مدار خارجی دیگری نیاز نیست ولی در CPU ها تمامی این مدارات در خارج از تراشه هستند. این برای میکروکنترلرها هم مزیت است و هم عیب : طراحی سخت افزار و سیستم با میکروکنترلر ساده است ولی بعنوان مثال نمی توان به آسانی فضای حافظه را افزایش داد.

از نظر پایه ها انواع آن از 8 پایه تا 40 پایه بصورت DIP و بالاتر ساخته می شود.

هر میکروکنترلر دارای یک سری دستورالعمل های نرم افزاری است که می تواند آنها را اجرا کند که به آن مجموعه دستورالعمل گفته می شود. این دستورات از یک میکرو کنترلر به دیگری تفاوت هایی دارند و در بعضی از مدلها مثل PIC و AT89s51 اصلا به هم شباهتی ندارند. این یکی از نقاط ضعف میکرو هاست. بعنون مثال برنامه ای که برای PIC16F84 نوشته شده بر روی ATMega8535 قابل اجرا نیست. تفاوت چشم گیر بین دستور العمل های مربوط به سازندگان است مثلا میکروهای سری PIC با بقیه همخوانی ندارد. این سری ساخت شرکت Microchips بوده و بقیه ساخت شرکت Atmel هستند. حال آنکه دستورات و برنامه های At89s51 کاملا به درستی بر روی At89s52 اجرا می شود. همچنین مجموعه دستورالعملها در سری 89s شبیه سری های tiny و Mega است.


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد آشنایی با میکروکنترلرها

تحقیق درباره پیشبینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری 50 ص

اختصاصی از فایلکو تحقیق درباره پیشبینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری 50 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق درباره پیشبینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری 50 ص


تحقیق درباره پیشبینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری  50 ص

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 49

 

فهرست

مقالة ویژه: پیش‌بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری 1

مرکز جدید نانوتکنولوژی ارتش آمریکا 11

همکاری تایوان با کانادا در زمینة نانوتکنولوژی 14

گزارشی از شرکتهای نانوتکنولوژی ژاپن 16

تلاش برای توسعة نانوتکنولوژی در اروپا 18

سرمایه‌گذاری در نانوتکنولوژی 18

امتیازی برای ساخت حسگرهای زیستی 20

اولین نمایشگاه بین‌المللی نانوتکنولوژی در سوئیس 21

اندازه‌گیری؛ چالشی در نانوتکنولوژی 23

ذخیرة 250 ترابیت در یک اینچ مربع 25

حسگرهای هیدروژنی جدید 27

تولید هزاران کیلو نانوذرات در یک شرکت نانومواد 28

دو موفقیت بزرگ در ترانزیستور تک سلولی 30

تهیة زیروژلهای کروموفوریک 32

توسعة کریستال فوتونیک 34

انستیتو نانوتکنولوژی نظامی 35

اختراع ابزار آشکارسازی DNA با درجة تفکیک بالا 42

 

پیش‌بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری

چکیده

قرار است نانوتکنولوژی یکی از فناوریهای کلیدی و کارآمد قرن 21 شود. قابلیت اقتصادی آن، حاکی از وجود بازاری بالغ بر چندصد میلیارد یورو برای این فناوری در دهة بعد است. بنابراین نانوتکنولوژی موجب جهت‌دهی فعالیتهای بسیاری از بخشهای صنعتی و تعداد زیادی از شرکتها در جهت آماده‌سازی آنها برای این رقابت جدید شده است. در همین زمان دولتمردان در بخشهای تحقیق و توسعه در سراسر دنیا نیز در حال اجرای برنامه‌های تحقیقاتی خاص در زمینة نانوتکنولوژی هستند تا آیندة کشورهای خود را به وضعیتی مطلوب برسانند. هدف این مقاله، استفاده از شاخصهای تکنولوژیکی و علمی برای پیش‌بینی پیشرفت اقتصادی و مقایسة وضعیت کشورهای مختلف است.

1- مقدمه

علوم نانو در دو دهه گذشته، پیشرفت بزرگی حاصل کرده است. ما شاهد کشفیات علمی و پیشرفتهای تکنولوژیکی مهمی بوده‌ایم. به عنوان مثال، این پیشرفتها شامل اختراع میکروسکوپ تونل‌زنی پیمایشگر (STM) در سال 1982 ]1[ یا کشف فولرینها در سال 1985 می‌باشد]2[. در حال حاضر تعداد اندکی از محصولات مبتنی بر نانوتکنولوژی به استفادة تجاری رسیده‌اند. با این وجود، آیا دانش واقعی علمی، جوابگوی اشتیاق جهانی نسبت به این فناوری هست ؟ تا چه حد احتمال دارد که بازار جهانی در طی 10 تا 15 سال آینده به هزار میلیارد دلار در سال برسد]3[؟

ارزیابی قابلیت فناوریهای تکامل یافته کار آسانی نیست و برای یک فناوری جدید مثل نانوتکنولوژی، این کار دشوارتر است. البته در پیش‌بینی سعی می‌شود از شاخصهایی استفاده شود که توانشان در پیش‌بینی قابلیت دیگر فناوریهای جدید به اثبات رسیده باشد. دو تا از واضح‌ترین شاخصهای پیش‌بینی، تعداد مقاله‌های علمی و تعداد اختراعات ثبت شده هستند. اولی معمولاً شاخص خوبی برای فعالیتهای علمی و دومی برای قابلیت انتقال نتایج علمی به کاربردهای عملی است. شکل 1 تکامل تدریجی انتشارات و اختراعات نانوتکنولوژی از شروع دهة 1980 تا 1998 را نشان می‌دهد. اطلاعات انتشارات جهانی نانوتکنولوژی از داده‌های Science Citation Index (SCI) اقتباس شده است. اختراعات نانو، آنهایی هستند که در European Patent Office (EPO) در مونیخ ثبت شده‌اند. اختراعاتEPO داده‌های بسیاری از کشورها را در بر می‌گیرد. از نظر گسترة کار و هزینة بالا، منطقی به نظر می‌رسد که مخترعین از اختراعات به صورت تجاری بهره‌برداری کنند. لیستی از کلمات کلیدی علوم و فناوری نانو جهت دستیابی به انتشارات، اختراعات و روشها منتشر شده‌است]4[.

تعداد انتشارات در سالهای 1980 و 1985 نسبتاً اندک است، اما در سالهای بعد سیر صعودی می‌یابد و از سال 1986 به بعد سرعت افزایش آنها محسوس می‌باشد. این تغییر ناگهانی را می‌توان به اختراع میکروسکوپ تونل‌زنی پیمایشگر در چند سال قبل از آن]1[، آغاز حضور وسایل تحقیقاتی مفید در آزمایشگاههای تحقیقاتی، دانشگاهی و صنعتی و نیز توجه تحقیقات به سوی مقیاس نانو نسبت داد. افزایش سرعت انتشار مقالات همچنان ادامه پیدا کرده و سیر صعودی آنرا می‌توان ناشی از دسترسی به میکروسکوپ نیروی اتمی که گسترة کاربرد وسیعتری نسبت به STM در مواد غیرهادی دارد (اختراع در سال 1986 ]5[) و نیز کشف مولکول C60 در سال 1985


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره پیشبینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری 50 ص

تحقیق درباره برآورد پتانسیلهای صادراتی با استفاده از تقریب مدل TradeSim

اختصاصی از فایلکو تحقیق درباره برآورد پتانسیلهای صادراتی با استفاده از تقریب مدل TradeSim دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 38

 

برآورد پتانسیل‌های صادراتی با استفاده از تقریب مدل TradeSim

چکیده

یکی از روش‌های توسعه تجارت خارجی هر کشور شناخت دقیق پتانسیل‌های اقتصادی- تجاری شرکای تجاری عمده و راه‌های رساندن حجم و ترکیب تجارت خارجی اعم از صادرات و واردات به سطح مطلوب آن است. به گونه‌ای که حداکثر پتانسیل‌های تجاری دو کشور مورد شناسایی قرار گرفته و در راستای انتفاع هر دو طرف از تجارت دو جانبه بخش‌ها و‌کالاهای تجاری اولویت‌دار تعیین گردد.

از آنجا که کشور کره‌جنوبی یکی از طرف‌های تجاری عمده ایران بوده و باتوجه به رشد صنعتی و تجاری کره‌جنوبی پتانسیل‌های تجاری آن در حال رشد می‌باشد، شناخت پتانسیل‌های تجاری این کشور، مانند سایر شرکای تجاری ایران حائز اهمیت می‌باشد. براین اساس در این مقاله سعی داریم تا با استفاده از مدل ” شبیه‌سازی پتانسیل‌های تجاری دوجانبه (TradeSim) “ به براورد پتانسیل صادراتی ایران به کشور کره‌جنوبی بپردازیم.

مقدمه

کشور کره‌جنوبی(جمهوری کره) ازجمله طرف‌های تجاری عمده ایران می‌باشد که, بویژه پس از رشد سریع اقتصادی این کشور و پیشرفت قابل ملاحظه صنایع آن، شاهد افزایش سهم این کشور از تجارت خارجی ایران در سالهای اخیر هستیم، بطوریکه سهم کره از کل صادرات غیرنفتی ‌ایران در سال 1379 معادل 95/1 درصد و از کل واردات کشور بالغ بر 14/5 درصد بوده است. بدین ترتیب رتبه این کشور در میان طرف‌های تجاری عمده ایران به سطح شانزدهم دربین مقاصد صادراتی، و رتبه پنجم بین مبادی وارداتی ارتقاء یافته است.

مطمئناً ارتباط تجاری گسترده بین دو کشور ایران و کره‌جنوبی منافع فراوانی برای دو طرف می‌تواند داشته باشد. که از جمله می‌توان به موارد مهم زیر بطور اجمالی اشاره کرد:

1- کشور ایران باتوجه به برخورداری از منابع قابل ملاحظه انرژی می‌تواند در براورده کردن نیازهای وارداتی کره سهم به سزایی داشته باشد.

2- کشور ایران باتوجه به دسترسی گسترده به بازارهای منطقه، بدلیل موقعیت جغرافیایی ممتاز خود, امکان توسعه روابط تجاری کره‌جنوبی با کشورهای منطقه را بصورت چند جانبه دارا می‌باشد.

3- کشور ایران باتوجه به جمعیت 65 میلیونی خود بازار مناسبی برای تولیدات صنعتی نسبتاً ارزان قیمت کره‌جنوبی به حساب می‌آید.

4- باتوجه به جایگاه استراتژیک ایران در منطقه خاورمیانه، این کشور از اهمیت فوق‌العاده برای شرکت‌های کره‌ای برخوردار است. چرا که امکان دسترسی این شرکت‌ها به بازارهای منطقه(خاورمیانه, آسیای میانه، قفقاز و ... ) را آسان‌تر نموده و امکان بهره‌مندی از توسعه اقتصادی و پتانسیل‌های تجاری رو به رشد کشورهای منطقه را در آینده گسترش می‌بخشد.

5 - باتوجه به عضویت کره‌جنوبی در APEC, ASEAN+2 و OECD، توسعه روابط اقتصادی ـ‌تجاری با کشور کره امکان توسعه روابط تجاری ایران با سایر اعضای این بلوک‌های تجاری- اقتصادی را نیز ممکن می‌سازد. این امر می‌تواند علاوه بر توسعه روابط دوجانبه، بعنوان کانالی برای توسعه روابط چند جانبه اقتصادی- تجاری مورد بهره‌برداری قرار گیرد.

6- مطمئناً دو کشور ایران و کره اهداف مشترک فراوانی در زمینه تجارت, سرمایه‌گذاری, همکاری‌های صنعتی و غیره دارند که آگاهی از آنها نیاز به مطالعات گسترده‌ای دارد.

7- از منظر ایران، بازار کره, علیرغم کوچک بودن نسبی آن, نبایستی مورد بی‌توجهی قرار گیرد, چرا که اولاً، این بازار بیش از 45 میلیون‌نفر مصرف‌کننده دارد, ثانیاً انباشت قابل ملاحظه فناوری و سرمایه این کشور، زمینه‌های فراوانی را برای توسعه صنایع کلیدی ایران نظیر حمل‌ونقل, ارتباطات, انرژی, ماشین‌آلات, استخراج منابع طبیعی و سایر صنایع کارخانه‌ای صادرات‌گرا مهیا ساخته و توسعه روابط دوجانبه صنعتی, تجاری و تکنولوژیک کمک گسترده‌ای به صنایع ایرانی خواهد کرد.

8- کشور کره باتوجه به روابط تجاری گسترده با سابقه و رو به توسعه آن با ایران, این امکان را دارد که دسترسی صادرکنندگان ایرانی به بازار آسیای شرقی و جنوبی را توسعه بخشیده و زمینه‌های تنوع بخشیدن به طرف‌های تجاری و کالاهای صادراتی ایران را فراهم سازد.

9- دو کشور ایران و کره‌جنوبی این امکان را دارند که با توسعه همکاری‌های صنعتی- تجاری در زمینه صنایع آهن و فولاد, خودروسازی, ساختمان‌سازی، صنایع پتروشیمی, پوشاک و نساجی, توان رقابت‌پذیری مشترک خود را ارتقاء بخشیده و با توسعه سرمایه‌گذاری‌های مشترک در این زمینه‌ها، ‌سهم مشترک خود از تولید و صادرات جهانی را افزایش دهند.

براین اساس در این مقاله سعی کرده‌ایم, ‌با استفاده از یک روش جدید و نسبتاً مفید به براورد پتانسیل‌های صادراتی ایران به کره‌جنوبی در گروههای کالایی مختلف بپردازیم. لذا با توجه به ضرورتی که برای مطالعه پتانسیل‌های تجاری ایران با طرف‌های تجاری عمده آن ذکر گردید، هدف از این تحقیق براورد پتانسیل‌های صادراتی ایران به کره براساس ساختار اقتصادی و نیازمندی‌های وارداتی آن می باشد.

برای این منظور پس از معرفی متدولوژی تحقیق, ابتدا جایگاه کره‌جنوبی در بین شرکای تجاری عمده ایران, در کل صادرات غیرنفتی و هر کدام از گروههای ده گانه کالایی را، براساس کدهای یک رقمی SITC، مورد بررسی قرار داده، و سپس ضمن براورد پتانسیل صادراتی ایران به کشور کره در هر گروه و مقایسه آن با وضعیت موجود صادرات ایران به کره, زمینه‌های ممکن برای توسعه روابط تجاری دوجانبه را مورد تجزیه و تحلیل قرار داده‌ایم.


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره برآورد پتانسیلهای صادراتی با استفاده از تقریب مدل TradeSim