فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فایلکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

60 ایده جالب برای طراحی وب سایت

اختصاصی از فایلکو 60 ایده جالب برای طراحی وب سایت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

اولین چیزی که برای طراحی وب سایت لازم است یک ایده می باشد. داشتن ایده مشخص کننده مسیر شما در طراحی و نشان دهنده کارهایی است که باید بعدا انجام دهید.

در اینجا 60 ایده جالب و جدید که می تواند به شما کمک کند با قیمت بسیار کم آورده شده است.


دانلود با لینک مستقیم


60 ایده جالب برای طراحی وب سایت

دانلود فایل فلش فارسی سامسونگ Core Prime Td-lte -G3608 با اندروید ۴.۴.۴ با لینک مستقیم(چهار فایل)

اختصاصی از فایلکو دانلود فایل فلش فارسی سامسونگ Core Prime Td-lte -G3608 با اندروید ۴.۴.۴ با لینک مستقیم(چهار فایل) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع:

دانلود فایل فلش فارسی سامسونگ  Core Prime Td-lte  -G3608  با   اندروید ۴.۴.۴ با لینک مستقیم(چهار فایل)

 

نکته:

 

 

فایل از طریق ادین ورژن ۳٫۰۹ به بالا رایت میشود 

Image result for G3608

 

میتوانید فایل فلش این مدل گوشی را از طریق لینک مستقیم دانلود نمایید

با تشکر

 

 

 

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود فایل فلش فارسی سامسونگ Core Prime Td-lte -G3608 با اندروید ۴.۴.۴ با لینک مستقیم(چهار فایل)

دانلود تحقیق الکتریسیته و مغناطیس

اختصاصی از فایلکو دانلود تحقیق الکتریسیته و مغناطیس دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود تحقیق الکتریسیته و مغناطیس


دانلود تحقیق الکتریسیته و مغناطیس

مدار جاری و لامپ روشن میشود. لازم نیست که چند دقیقه، یا حتی چند ثانیه صبر کنیم تا آثار جریان را در مدار مشاهده کنیم. ضمناُ به نظر میرسد که فاصلة بین کلید و لامپ، که معمولاً خیلی بیشتر از cm10 است، بر زمان بروز آثار الکتریکی تأثیر محسوسی ندارد.

نکته آن است که برای اینکه فیلامان به جریان پاسخ دهد، لازم نیست صبر کنید تا یک الکترون معین از سر باتری به لامپ برسد. وقتی که کلید را میبندیم، همة توزیع بار درون رسانات، تقریباً بلافاصله، به حرکت درمیآید؛ این موضوع شبیه ان است که آب درون یک لولة دراز بلافاصله پس از بازکردن شیر جاری میشود.

20-3 مقاومت و مقاومت ویژه

اگر سیمی بین دو قطب باتری ببندیم، بارهای مثبت از داخل این مدار خارجی جاری میشوند و از قطب مثبت به قطب منفی، یعنی، مطابق شکل20-7، از نقطة با پتانسیل بیشتر به نقطة با پتانسیل کمتر میروند. در داخل باتری جریانبارهای مثبت از قطب منفی به قطب مثبت، یعنی در خلاف جهت میدان الکتریکی، است؛ در داخل باتری، عامل حرکت بارها میدان الکترواستاتیکی نیست بلکه واکنش شیمیایی باتری است. در مدار خارجی، عامل حرکت بارها مبدان E است. به عنوان نمونهای مشابه با جریان بار در مدارهای الکتریکی میتوان از جریان آب در سیستمهای هیدرولیکی نام برد. آب در میدان گرانشی همیشه به پایین جاری میشود؛ اما ابزارهایی – مثل تلمبه – وجود دارد که با گرفتن انرژی از سایر منبعها، آب را به بالا میرانند.

اگر سیم بین قطبهای باتری، یک رسانای کامل و ایدهآل باشد که بر بارهای متحرک آن هیچ نیرویی جز نیروی الکتروستاتیکی خارج وارد نمیآید، این بارها بر اثر میدان E به طور یکنواخت شتاب میگیرند. درنتیجه، سرعت متوسط حاملهای بار در طول زمان به طور پیوسته زیاد میشود، و به همین ترتیب، جریان نیز افزایش مییابد. اما عملاً چنین نیست. جریان به سرعت به مقداری ثابت میرسد که متناسب با اختلاف پتانسیل دو سر سیم است. علت این امر آن است که سیم در برابر حرکت حاملهای بار مقاومت میکند و درنتیجه حالت پایا دست میدهد.

بنابر تعریف، مقاومت سیم عبارت است از نسبت ولتاژ به جریان؛ یعنی:

(20-5)                                       

که R مقاومت، I جریانی که از این مقاومت میگذرد، و V افت پتانسیل در طول این مقاومت است؛ یعنی V اختلاف پتانسیل دو سر عنصر مقاومتی در شرایطی است که جریان I از آن میگذرد. واحد مقاومت اهم ، به نام گئورک سیمون اهم (1787-1854) است. هر اهم برابر است با یک ولت بر آمپر. هر عنصر مداری را که فقط مقاومت وارد مدار کند، مقاومت (خالص) مینامند.

در اکثر موارد، مقاومت عناصر مداری، دست کم در گسترهای وسیع از جریان، از جریان داخل آن مستقل است. معادلة (20-5) یا رابطة معادل آن.

شامل 14 صفحه فایل word قابل ویرایش


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق الکتریسیته و مغناطیس

دانلود تحقیق خواص اپتیکی مواد (رسانا و غیر رسانا)

اختصاصی از فایلکو دانلود تحقیق خواص اپتیکی مواد (رسانا و غیر رسانا) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود تحقیق خواص اپتیکی مواد (رسانا و غیر رسانا)


دانلود تحقیق خواص اپتیکی مواد (رسانا و غیر رسانا)

بمنظور آشنائی با خواص اپتیکی مواد (رسانا و غیر رسانا) میبایست میدان الکتریکی E و میدان مغناطیسی B را در مواد بررسی نمود یا در واقع به عنوان محیط موجبری که انرژی یا موجی را انتقال میدهد مورد کنکاش قرار داد. لذا می بایستی که بحث الکترومغناطیسی را بعنوان زیربنا و ساختار لایه های اپتیکی مورد استفاده قرار داد از آنجاییکه عنوان پروژه طراحی فیلترهای نوری میباشد لذا ما فرض میگیریم که خواننده آشنا به مطائل الکترومغناطیسی است ما صرفاً به اعمال شرایط مرزی در یک مرز یا مرز دو محیط بسنده می نمائیم. طراحی فیلترهای منوری بمنظور بازتاب و یا عبور طول موج های خاص و یا باند خاص از طول موجها طراحی میگردد که میزان بازتاب و عبور آن برای طراح بعنوان کیک پارامتر قابل تغییر مطرح می باشد و در واقع میزان بازتاب و عبور را در محدوده خاصی که مورد مظر است اتفزایش و یا کاهش میدهد و یا پالایش طول موجها را با بالا بردن میزان عبور یک طول موج و یا یک محدوده طول موجها و کاهش عبور دیگر طول موجها بوسیله بازتاب یا جذب را انجام میدهد که همه اینها در طراحی فیلتر عملی میگردد.

نیاز و کاربرد به لاسه نشانی و یا طراحی فیلترهای نوری برای آینه های گرمایی (بازتابنده های گرمایی) و آینه های سرد، (که آینه های گرمایی فروسرخ را بازتاب و آینه های سرد فروسرح را عبور میدهند و در نورافکنها استفاده میشود).

آینه های دوررنگی (شامل پالایه های نوارگذاری که بررخهای منشوری لایه نشانی شده تا نور را در دوربینهای رنگی به کانالهای قرمز، سبز و آبی تقسیم کند) آینه های لیزر با بازتاب بالا و یا در انترفرومترهای فابری پرو، مایکسون، لنزهای دوربین های عکاسی، نظامی، تلسکوپها، دوربین های نظامی دید در شب، هدایتگر موشک و ... میباشد.

در این پروژه تکیه بر فیلترهای ضد بازتاب و تا حدی محدود به آینه ها نیز اشاره می نمائیم و ضمناً تلاش بر این بوده که با دستیابی به متد طراحی و محاسبات آن به قدرت طراحی فیلتر توسط کامپیوتر دست یابیم که به این منظور یک سری برنامه هائی در جهت طراحی کارائی فیلترها نوشته شد که نیاز به گسترش خیلی بیشتری دارند بهر حال برای این پروژه بالغ بر 200 صفحه ترجمه و مطالعه شده و نیز بالغ بر 100 ساعت کار با کامپیوتر برای دستیابی به بهترین طراحی ها و برنامه نویسی انجام گردیده است.

امیدوارم این مجموعه در هرچه آشنا شدن به فیلترهای مختلف با محاسبات و طراحی آنها و کارهای عملی انجام شده نقطه شروعی در جهت طراحی فیلتر در صنعت و ... عملی شده باشد.


مرز:

فیلترهای نازک معمولاً شامل یک تعدادی مرز بین لایه های همگن هستند و خوبست بدانیم که این مرزها چه اثری روی موج فرودی که ما می خواهیم محاسبه کنیم خواهند گذاشت یک تک مرز ساده ترین حالت میباشد. ابتدا فرض می گیریم جذب در لایه ناچیز و صفر باشد و یک موج هارمونیک پلاریزه تخت را برای موج فرودی درنظر گرفته ایم هنگامی که یک موج به یک مرز بین دو محیط برخورد می کند یک قسمت از آن بازتاب و یک قسمت آن عبور می کند شکل همه آنها بصورت eiwt میباشد منتهی یک اخلاف فاز از این قسمت ناشی میشود که به میزات ضخامت محیط عبوری دارد. ضمناً میزان دامنه عبوری نیز تغییر می نماید.

میدانیم که میدان الکتریکی مماسی و میدان مغناطیسی مماسی موج فرودی در عبور از مرز در محیط ÷یوسته است. (محیط دی الکتریک درنظر گرفته شده است) با توجه به شکل و با توجه به شرایط مرزی میدانهای E و B را در دو طرف مرز میتوان با معادلات زیر نوشت:

 

که در اینجا  میدان E فرودی اولیه

که در اینجا  میدان E بازتابیده از مرز اول a

 میدان E عبوری از مرز اول a

 میدان E بازتابیده از مرز دوم b

 میدان E عبوری از مرز دوم b

 حاصل جمع تمام میدانهای E که بطرق فصل مشترک a فرود میآیند

 حاصل جمع تمام میدانهای E که بطرق فصل مشترک b فرود میآیند

برای میدان مغناطیسی هم داریم:

شامل 46 صفحه فایل word قابل ویرایش


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق خواص اپتیکی مواد (رسانا و غیر رسانا)

دانلود تحقیق درباره میکروکنترلر 8051

اختصاصی از فایلکو دانلود تحقیق درباره میکروکنترلر 8051 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود تحقیق درباره میکروکنترلر 8051


دانلود تحقیق درباره میکروکنترلر 8051

مقدمه : در این بحث با میکرو کنترلر 8051 آشنا می شوید. میکرو کنترلرها و میکرو پرسسورها با هم تفاوتهایی دارند. میکروکنترلرها علاوه بر دارا بودن پردازشگر مرکزی مدارات جانبی آن را نیز دارند این مدارات شاملROM  ، RAM ، ارتباط سری، ارتباط موازی، زمان سنج و کنترل کننده وقفه می شود. البته امکانات فوق در مقایسه با امکانات یک کامپیوتر کامل ناقص به نظر می رسد ولی در کاربردهایی که تنها بعضی ازامکانات مورد نیاز باشد استفاده از میکروکنترلرها ساده‌تر و مقرون به صرفه‌تر است میکروکنترلرها بیشتر کاربرد کنترلی دارند. یعنی با دریافت یک ورودی، کنترل چند فرایند را بدست می‌گیرند که عمدتاً این کارها ساده است ولی در کار بردهایی که احتیاج به تحلیل و پردازش پیچیده و عمیق دارد به میکرو پرسورها نیاز است.

7-1) MCS-51 دسته ای از میکروکنترلرها است که ابتدا توسط شرکت Intel ساخته وبه بازار جهانی عرضه شده اند. هر یک از میکروکنترلرهای این خانواده امکانات ویژه‌ای دارند. در این بخش مشخصات سخت افزاری 8051 معرفی می شود.

مشخصات این تراشه به شرح زیر است:

  • 4کیلوبایت  ROMداخلی
  • 128 بایت RAM داخلی
  • چهار درگاه I/O 8 بیتی
  • درگاه ارتباط سری
  • دو زمان سنج و شمارشگر 16 بیتی
  • حداکثر64kبایت حافظه خارجی برای برنامه‌های بزرگتر
  • حداکثر64k بایت حافظه خارجی برای داده‌های بزرگتر
  • توانایی پردازش عملیات بولی
  • 210 بیت با امکان دسترسی بیتی
  • وجود دستورات اضافی نظیر ضرب و تقسیم
  • قبول وقفه از اجزای داخلی و سخت افزار خارجی

7-2) وضعیت پایه‌ها: 32 پایه از 40 پایه تراشه می‌توانند بصورت خطهای درگاه I/O بکار روند.برای صرفه جویی 24 تا از آنها دارای عملکرد دیگری نیز هستند و در صورت لزوم از عملکرد دوم هر پایه استفاده می شود که به همین دلیل پایه های دو منظوره نام گرفته اند

7-2-1) درگاه 0: پایه های  39-32را شامل می شود. در سیستمی که حافظه خارجی نداشته باشد این پایه ها به عنوان درگاه I/O بکار می روند. ولی در سیستمهای با حافظه خارجی این پایه ها به عنوان گذرگاه( آدرس و داده) multiplexed بکار می روند.

7-2-2) درگاه 1: پایه های 1 تا 8 IC را شامل می شود که فقط به عنوان درگاه I/O بکار می رود.

7-2-3) درگاه 2: پایه های 21 تا 28 را شامل می شود این پایه ها دو منظوره طبق برنامه می‌توانند به عنوان درگاه I/O یا در صورت بهره گیری از حافظه کد خارجی یا داده خارجی با حجم  64k ,بایت به عنوان MSB گذرگاه آدرس استفاده شوند.

7-2-4) درگاه 3: پایه های 10 تا 17 تراشه را شامل می شود که به ترتیب دریافت و ارسال اطلاعات به صورت  سری، وقفه خارجی 0 , وقفه خارجی ,1 ورودی زمان سنج 0 , ورودی زمان سنج 1 و پایه هایی که همزمانی و فرمان نوشتن برای حافظه داده خارجی را فراهم می آورند.

7-2-5) ورودی نوسان ساز داخلی: برای راه اندازی بین پایه های شماره 19 , 18 مطابق شکل   (7-1) یک کریستال و دو خازن قرار می دهیم.

7-2-6) اتصال منابع تغذیه : ولتاژ +5 به پایه 40 متصل می شود و پایه 20 زمین می شود.

7-2-7) PSEN، فعال کننده پایه 29: یک سیگنال خروجی کنترلی است که برای همزمانی و فعال ساختن حافظه کد خارجی در هنگام خواندن استفاده می شود. که غالباً به پایه یک EPROM

 

شکل (7-1): پایه‌های 8051

 

وصل می شود. هنگامی که برنامه از ROM داخلی 8051 اجرا می شود PSEN در حالت high باقی می‌ماند.

7-2-8) باز نشاندن پایه9: ورودی باز نشاندن IC است . اگر حداقل دو سیکل ماشین high نگه داشته شود IC بازنشانده می شود. بعد از باز نشاندن IC وضعیت ثباتها مطابق جدول (7-1) خواهد شد.

برای باز نشاندن IC از دو مدار رایج شکل (2-7) استفاده می شود که خروجی RST آنها به پایه IC 9 متصل می شود.

شامل 29 صفحه فایل word قابل ویرایش


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق درباره میکروکنترلر 8051